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PXN7R7-25QL
25V,N-channelTrenchMOSFET
31July2023Productdatasheet
1.Generaldescription
N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT82)Surface-
MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology.
2.Featuresandbenefits
•Logic-levelcompatible
•TrenchMOSFETtechnology
•UltralowQandQforhighsystemefficiency,especiallyathigherswitchingfrequencies
GGD
•Superfastswitchingwithsoft-recovery
•LowspikingandringingforlowEMIdesigns
•MLPAK33package(3.3x3.3mmfootprint)
3.Applications
•DCtoDCconversion
•Batterymanagement
•Low-sideloadswitch
•Switchingcircuits
4.Quickreferencedata
Table1.Quickreferencedata
SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit
VDSdrain-sourcevoltageT=25°C--25V
j
VGSgate-sourcevoltage-2-2V
IDdraincurrentVGS=10V;Tamb=25°C;t≤5s[1]--19A
Stat
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