安世GAN039-650NTB深圳市恒锐丰科技.pdf

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PGAN039-650NTB

650V,33OhGalliuNitride(GaN)FETinaCCPAK1212i

package

5December2023Productdatasheet

1.Generaldescription

TheGAN039-650NTBisa650V,33mΩGalliumNitride(GaN)FETinaPAK1212iinverted

package.Itisanormally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMT

H2technologyandlow-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityand

performance.

2.Featuresandbenefits

•SimplifieddriverdesignasstandardlevelMOSFETgatedriverscanbeused:

•0Vto12Vdrivevoltage

•GatethresholdvoltageVGSthof4V

•Robustgateoxidewith±20VVGSrating

•Highgatethresholdvoltageof4Vforgatebounceimmunity

•LowbodydiodeVforreducedlossesandsimplifieddead-timeadjustments

•Transientover-voltagecapabilityforincreasedrobustness

•PAKpackagetechnology:

•Improvedreliability,withreducedRth(j-mb)foroptimalcooling

•LowerinductancesforlowerswitchinglossesandEMI

•150°Cmaximumjunctiontemperature

•HighBoardLevelReli

该用户很懒，什么也没介绍

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