安世GAN041-650WSB深圳市恒锐丰科技.pdf

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-GAN041-650WSB

650V,35ΩGalliuNitride(GaN)FETinaTO-247package

4June2024Productdatasheet

1.Generaldescription

TheGAN041-650WSBisa650V,35mΩGalliumNitride(GaN)ETinaTO-247package.Itisa

normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand

low-voltagesiliconMOSETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance.

2.Featuresandbenefits

•Ultra-lowreverserecoverycharge

•Simplegatedrive(0Vto+10Vor12V)

•Robustgateoxide(±20Vcapability)

•Highgatethresholdvoltage(+4V)forverygoodgatebounceimmunity

•Verylowsource-drainvoltageinreverseconductionmode

•Transientover-voltagecapability

3.Applications

•Hardandsoftswitchingconvertersforindustrialanddatacompower

•BridgelesstotempolePFC

•PVandUPSinverters

•Servomotordrives

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltage-55°C≤T≤175°C--650V

该用户很懒，什么也没介绍

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