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3NGW40T65M3DFP
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T
650V,40Atrenchfield-stopIGBTwithfullratedsilicondiode
Rev.1—28June2024Productdatasheet
1.GeneralDescription
TheNGW40T65M3DFPisarobustInsulated-GateBipolarTransistorIGBT)featuring
third-generationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandfield-stopFS)structures.
TheNGW40T65M3DFPisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-offlosses,andhasashort-
circuitwithstandtimeof5μs.Thishard-switching650V,40AIGBTisoptimizedforhigh-voltage,
high-frequencyindustrialpowerinverterapplicationsandservomotordriveapplications.
2.Featuresandbenefits
•Collectorcurrent(I)ratedat40A
C
•Lowconductionandswitchinglosses
•Stableandtightparametersforeasyparalleloperation
•Maximumjunctiontemperatureof175°C
•Fullyratedasasoftfastreverserecoverydiode
•5μsshortcircuitwithstandtime
•RoHScompliant,lead-freeplating
3.Applications
•Motordrivesforindustrailandconsumerappliances
•Servemotorsoperatingbetween5-20kW(upto20kHz)forrobotics,elevators,operating
gri
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