太阳电池及其应用技术讲座-三-各种太阳电池.pdf

第卷第期

253可再生能源Vol.25No.3

年月Jun.2007

20076RenewableEnergyResources

太阳电池及其应用技术讲座(三)

各种太阳电池

谢建,马勇刚,廖华,苏庆益,李景天,杨丽娟

(云南师范大学太阳能研究所,云南昆明)

650092

中图分类号:;文献标志码:文章编号:()

TK511TM615B1617-5292200703-0108-05

硅太阳电池是目前使用最广泛的太阳电池。有油脂、金属、各种无机化合物或尘埃的沾污,需

按硅材料的晶体结构区分,有单晶硅太阳电池、多用多种化学试剂进行清洗。在切割硅片时会在硅

晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池3种。单晶硅太片表面留下切割损伤,要通过表面腐蚀去除。在清

阳电池和多晶硅太阳电池亦称晶体硅太阳电池,洗和腐蚀过程中要用一种非常清洁的水去离子水

占全世界太阳电池市场的大部分。冲洗。去离子水是经过多种过滤,并用阴、阳树脂

1单晶硅太阳电池和混合树脂去除水中的离子得到的,其电阻率高

()单晶硅材料达·。

110～18Ωcm

太阳电池硅材料的原料是石英砂。把石英砂硅片表面可制备成绒面,即在每平方厘米硅

放入电炉中用碳还原得到冶金硅,好的冶金硅的表面形成数百万个金字塔状的四面方锥体(图

纯度为。冶金硅与氯气或氯化氢反应)。入射光在这种表面经过多次反射和折射,降低

98%～99%()1

得到四氯化硅(或三氯氢硅),其纯度提高,然后通了光的反射,增加了光的吸收,提高了太阳电池的

过氢气还原成多晶硅。多晶硅经过坩埚直拉法短路电流和转换效率。

(法)或区熔法(法)制成单晶硅棒,硅材料

CZFZ

的纯度进一步提高。在制备单晶硅的过程中可根

据需要对其掺杂,地面用晶体硅太阳电池材料的

电阻率为·,空间用硅太阳电池材料的

0.5～3Ωcm

电阻率约为·。

10Ωcm

用内圆切片机或多线切片机将单晶硅棒或硅经过表面处理的硅片即可制作p-n结。制结

锭切成0.24～0.44mm的薄片,常用的地面用晶体是单晶硅太阳电池的关键工艺。制结的方法有热

硅太阳电池为直径100mm的圆片或100mm×扩散、离子注入、外延、激光和高频电注入法等,其

100mm的方片,目前也有125mm×125mm,150中热扩散法是最常用的。

mm×150mm的方片;空间用太阳电池的尺寸为制p-n结之后,先丝网印刷银浆和烧结上电

或。用内圆切片机切极,再印刷银铝浆和烧结下电极。烧结的温度通常

20mm×20mm20mm×40mm

片,硅材料的损失接近50%,用线切片机切片,材约为800℃,背面的铝在烧结时还会扩散进基片,