安世NGW50T65H3DFP深圳市恒锐丰科技.pdf

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TNGW50T65H3DFP

650V,50Ahighspeedtrenchfield-stopIGBTwithfullrated

silicondiode

Rev.1—28June2024Productdatasheet

1.Generaldescription

TheNGW50T65H3DFPisarobustInsulated-GateBipolarTransistor(IGBTfeaturingthird-

generationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandfield-stop(FSstructures.The

NGW50T65H3DFPisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-offlosses.Thishard-switching650

V,50AIGBTisoptimizedforhigh-voltage,high-frequencyindustrialpowerinverterapplications.

2.Featuresandbenefits

•Collectorcurrent(I)ratedat50A

•Lowconductionandswitchinglosses

•Stableandtightparametersforeasyparelleloperation

•Maximumjunctiontemperatureof175°C

•Fullyratedasasoftfastreverserecoverydiode

•RoHScompliant,lead-freeplating

3.Applications

•Powerinverters

•UninterruptiblePowerSupply(UPS)inverter

•Photovoltaic(PV)strings

•EVcharging

•Inductionheating

•Welding

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameter

该用户很懒，什么也没介绍

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