铌酸锂单晶薄膜，前6大企业占据全球98%以上的市场份额（2023）.docx

全球市场研究报告

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铌酸锂单晶薄膜（LNTF、LNOI）是指通过Smart-cut工艺（包括离子注入、转移键合、剥离与抛光等）在硅等异质基底材料上制备得到的厚度在300~900nm的铌酸锂单晶层。铌酸锂（LiNbO3）晶体是一种重要的光电材料，广泛应用于光通讯、量子通信、航空航天等领域，是调制器、5G滤波器、存储器以及探测器等基础材料之一。铌酸锂薄膜正是从铌酸锂晶体上剥离而来，具有独特的光电性能和化学性能。

据QYResearch调研团队最新报告“全球铌酸锂单晶薄膜市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球铌酸锂单晶薄膜市场规模将达到4.17亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为33.4%。

铌酸锂单晶薄膜，全球市场总体规模

来源：QYResearch电子及半导体研究中心

市场趋势：

竞争加剧：铌酸锂单晶薄膜（LNTF、LNOI）属于近年来新发展起来的新兴行业，目前全球市场参与者屈指可数，但国内外众多企业都在积极投入铌酸锂单晶薄膜的研发和生产，竞争将愈加激烈。

市场激增：铌酸锂单晶薄膜行业目前正处于快速发展阶段，随着现有参与者产能的扩大和新进入者的增加，预计未来几年市场仍将保持快速增长。

大尺寸化：目前铌酸锂单晶薄膜产品仍以3-6英寸为主，预计随着技术的成熟和厂商持续投入研发，未来更大尺寸产品（8英寸以上）将占据一定的市场份额。

驱动因素：

技术进步：随着光刻、离子注入等技术的不断发展，铌酸锂单晶薄膜的晶圆制备工艺不断成熟，性能和产量不断提升，将推动产业快速发展。

下游驱动：终端下游AIGC（人工智能自动生成内容）的快速发展推动了光模块产业的快速发展，作为光通信骨干网的核心光器件，薄膜铌酸锂调制器凭借先天优势将迎来重大发展机遇，从而带动上游原材料铌酸锂单晶薄膜市场的扩张。

政策支持：各国政府都在不断加大对半导体产业的支持力度，为铌酸锂单晶薄膜产业发展提供了良好的政策环境。

挑战和阻碍：

技术壁垒高：铌酸锂单晶薄膜市场技术壁垒较高，如光波导刻蚀工艺，难以实现产业化。

开发和量产难度大：目前，铌酸锂单晶薄膜市场在AIGC等行业需求的推动下蓬勃发展，研发方面取得了很大进展，但量产难度大。铌酸锂单晶薄膜制造复杂，需要精密技术。材料和设备成本高，品控难度大，也阻碍了大规模产出。

竞争市场份额困难：全球铌酸锂单晶薄膜市场厂商数量少，产量和产值高度集中在济南晶正（NANOLN）一家企业手中，其他厂商难以争夺较大的市场份额。

全球铌酸锂单晶薄膜市场前6强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

来源：QYResearch电子及半导体研究中心。行业处于不断变动之中，最新数据请联系QYResearch咨询。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内铌酸锂单晶薄膜生产商主要包括济南晶正电子、上海新硅聚合半导体、NGKInsulators等。2023年，全球前三大厂商占有大约98.0%的市场份额。

济南晶正电子（NANOLN）是铌酸锂单晶薄膜行业最大的生产商，其2023年占据全球90%以上的收入份额。由于该材料生产对技术要求极高，这种有着“光学硅”之称的新材料在世界范围内的生产厂家也屈指可数。而晶正电子不仅成功开发出的大尺寸、纳米厚度铌酸锂薄膜芯片材料，掌握了完全自主知识产权，并且第一个实现了产业规模化，使中国在该领域技术水平处于世界领先地位，连剑桥、哈佛等世界顶级高校实验室里用的铌酸锂单晶薄膜材料都来自晶正电子。

晶正电子铌酸锂单晶薄膜产业历程：

济南晶正电子科技有限公司成立于2010年。2014年，晶正电子的研发团队率先0.5毫米的铌酸锂单晶剥离出500至700纳米单晶薄膜，填补了行业空白；2015年，在世界上率先研发出直径3英寸的纳米级铌酸锂单晶薄膜；2018年—2019年，产品开始小批量生产；2020年，生产出300纳米厚度的单晶薄膜，500纳米厚度的4寸单晶薄膜成为主流产品。2023年以来，晶正电子正加快推进年产10万片铌酸锂薄膜材料生产线项目。

晶正电子最新动态：

2024年12月，济南晶正电子科技有限公司（以下简称“晶正电子”）获数亿元投资，本轮融资由大湾区基金、毅达资本、源创多盈等机构投资。历史股东包括深圳资本、华义创投等。晶正电子融资资金将主要用于新产品研发投入和产能扩充。

铌酸锂单晶薄膜，全球市场规模，按产品类型细分，4英寸处于主导地位

来源：QYResearch电子及半导体研究中心

就产品类型而言，目前4英寸铌酸锂单晶薄膜是最主要的细分产品。

目前铌酸锂单晶薄膜的尺寸仍以3英寸和4英寸为主，随着技术进步和各生产商持续投入研发，预计未来6英寸和8英寸产品将迅速发展，