微机电系统MEMS表面微加工与电路集成工艺技术培训.pptx

微机电系统MEMS工艺集成重庆大学光电工程学院

内容简介表面微加工体微加工MEMS与电路的集成实例总结

一、简介

二、表面牺牲层工艺先在衬底表面生长薄膜，通过对薄膜进行光刻、刻蚀等形成结构。优点：易于与IC集成。

重庆大学微系统研究中心表面工艺

ICcompatibilityComparisonofCMOSandSurfaceMicromachiningCriticalProcessTemperaturesforMicrostructures-Junctionmigrationat800to950°C-Alinterconnectsuffersat400-450°C-TopographySurfaceMicromachining

MUMPS工艺

MUMPS工艺特点

长氮化硅长0层Poly－SiMUMPS工艺

一次光刻RIE去除多余0层Poly－SiMUMPS工艺

LPCVD淀积二氧化硅二次光刻，DRIE形成凹点MUMPS工艺

三次光刻，DRIE形成锚点LPCVD淀积1层Poly-Si,淀积PSG，退火MUMPS工艺

四次光刻1层Poly－Si，DRIE淀积二氧化硅MUMPS工艺

五次光刻，DRIE六次光刻，DRIEMUMPS工艺

淀积Poly－Si，PSG，退火七次光刻，DRIEMUMPS工艺

八次光刻，剥离，湿法去除光刻胶和金属HF释放结构MUMPS工艺

SandiaSUMMIT工艺5层多晶硅技术复杂结构

SandiaSUMMIT工艺

0层多晶硅SandiaSUMMIT工艺

1层二氧化硅1层多晶硅SandiaSUMMIT工艺

2层氧化硅2层多晶硅SandiaSUMMIT工艺

3层氧化硅3层多晶硅SandiaSUMMIT工艺

SandiaSUMMIT工艺

DMD微镜

DMD微镜

DMD微镜

器件

三、体加工Chemicalmilling:usingamaskantandascribefollowedbyacidtoetchthescribedareaChemicalmilling(15thcenturydecoratingarmor)Chemicalmillingbythe1960’sespeciallyusedbytheaerospaceindustryPhotosenstivemasksinsteadofscribingbyhand(Niepcein1822)Printedcircuitboard(WWII)IsotropicetchingofSi(mid1950’s)IC’s(1961)FirstSimicromechanicalelement(1961-1962)AnisotropicetchingofSi(mid1960’s)

Example:electrochemicalsensorarrayAtypicalbulkmicromachiningexample:tomakeanarrayofelectrochemicalsensorsinacatheter(e.g.tomeasurepH,O2andCO2inblood)TheetchstopinthiscaseisasacrificialoxidelayerYetsmallerstructurscouldbeusedtoexperimentinpicolitermicrovials(e.g.toinvestigateasinglebiologicalcell)-govisitBulkMicromachining

SCREAM工艺

Sealed-cavityDRIE工艺

重庆大学微系统研究中心体加工工艺(1)刻蚀浅槽GlassSi(2)表面掺杂(3)金属电极(4)阳极键合(5)硅片剪薄(6)释放结构体硅深刻蚀释放工艺（北京大学）

重庆大学微系统研究中心多MEMS器件及MEMS器件与IC的集成加工技术：实现微系统多功能、高性能和低成本的基础。加速度、温度、湿度、压力传感器集成MEMS与IC集成

MEMS与IC集成

存在的问题

工艺比较

集成方案比较

集成方案及代表

CMOSfirst

CMOSfirst

MEMSfirst

重庆大学微系统研究中心微加工技术发展趋势三维组装与封装技术键合：低温、多材料、多层自组装技术：封装：与外界的机、电、热、光、物质交换接口等。三自由度加速度封装多层键合

重庆大