电子技术基础课件：二极管.pptx

;在PN结的两端各引出一根电极引线，然后用外壳封装起来就构成了半导体二极管，由P区引出的电极称为正极(或阳极)，由N区引出的电极称为负极（或阴极），其结构示意图如图1-7(a)所示，电路符号如图1—7(b)所示，电路符号中的箭头方向表示正向电流的方向。;按PN结面积的大小，半导体二极管可分为点接触型和面接触型两大类。点接触型二极管的PN结面积很小，结电容小，不允许通过较大的电流，不能承受较高的反向电压，但其高频性能好，适用于作高频检波、小功率电路和脉冲电路的开关元件等。

面接触型二极管的PN结面积大，结电容大，可以通过较大的电流，能承受较高的反向电压，适用于低频电路，主要用于整流电路。

按照用途的不同，二极管分为整流、检波、开关、稳压、发光、快恢复和变容二极管等。常的二极管有金属、塑料和玻璃三种封装形式，其外形各异。;二极管由一个PN结构成，因此，它的特性就是PN结的单向导电特性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。二极管的伏安特性，就是指二极管两端的电压U和流过二极管的电流I之间的关系。若以二极管两端的电压U为横坐标，流过二极管的电流I为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应点用平滑曲线连接起来，就得到了二极管的伏安特性曲线，如图1-9所示（图中实线为硅二极管的伏安特性曲线，虚线为锗二极管的伏安特性曲线），下面就二极管的伏安特性曲线进行说明。;（1）正向特性

二极管两端加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性。;当外加正向电压大于Uth时，PN结的内电场大为削弱，二极管的电流随外加电压增加而显著增大，电流与外加电压呈指数关系，二极管呈现很小的电阻而处于导通状态，硅二极管的正向导通压降约为0.7V，锗二极管的正向导通压降约为0.3V，如图1-9中AB（或AB/段）所示。

二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，防止PN结被烧。;（2）反向特性

二极管两端加上反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性，由图1-9中OC（或OC’段）所示，二极管的反向电???很小，且与反向电压无关，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流，这时二极管呈现很大的电阻而处于截止状态，一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小很多，在室温下，小功率硅管的反向饱和电流小于0.1微安，锗管为几十微安。;（3）反向击穿特性

当加在二极管两端的反向电压增大到UBR时，二极管内PN结被击穿，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，如图1-9中CD（或CD/）段所示，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。反向击穿后，只要反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，二极管一般不会损坏。若反向电压下降到击穿电压以下后，其性能可恢复到原有情况，即这种击穿是可逆的，称为电击穿；若反向击穿电流过高，则会导致PN结结温过高而烧坏，这种击穿是不可逆的，称为热击穿。;（4）温度对特性的影响

温度对二极管的特性有显著的

影响，如图1-10所示。当温度升高

时，正向特性曲线向左移，反向特

性曲线向下移。变化规律是：在室

温附近，温度每升高1℃，正向压

降约减小2~2.2mV，温度每升高

10℃,反向电流约增大一倍。若温

度过高，可能导致PN结消失。一般规定硅管所允许的最高结温为50－200℃，锗管为75－150℃。;实用中一般通过查器件手册，依据参数来合理使用二极管。二极管的主要参数有：

（1）最大整流电流IF：指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向电流的平均值。使用时若超过此值，二极管会因过热而烧坏。点接触型二极管的IF较小，面接触型二极管的IF较大。

（2）最高反向工作电压URM：指二极管正常工作时，允许施加在二极管两端的最高反向电压（峰值），通常手册上给出的最高反向工作电压URM为击穿电压UBR的一半。;（3）反向饱和电流IR：指二极管未击穿时的反向电流值。其值会随温度的升高而急剧增加，其值越小，二极管单向导电性能越好。反向电流值会随温度的上升而显著增加，在实际应用中应加以注意。

（4）最高工作频率fM：指保证二极管单向导电作用的最高工作频率。当工作频率超过fM时，二极管的单向导电性能就会变差，甚至失去单向导电特性。fM的大小与PN结的结电容有关，点接触型锗管由于其PN结面积较小，故PN结电容很小，通常小于，其最高工作频率可达数百MHz，而面接触型硅整流二极管，其最高工作频率只有3KHz。