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一、原理图参考Page3~5
二、参数及功能（以下保护参数如标注可配置，则可通过上位机进行配置）
项目参数项目参数项目参数
过充电保护电压3.6V~4.5V（可配置）放电过流1阈值20mV~200mV（可配置）充电高温保护40℃~99℃（可配置）
过充电恢复电压3.3V~4.5V（可配置）放电过流1保护延时50mS~40S（可配置）充电高温保护恢复40℃~99℃（可配置）
过充电保护延时0.1S~40S（可配置）放电过流2阈值30mV~500mV（可配置）充电低温保护-40℃~15℃（可配置）
平衡开启电压3.3V~4.5V（可配置）放电过流2保护延时10mS~20S（可配置）充电低温保护恢复-40℃~15℃（可配置）
过放电保护电压2.0V~3.1V（可配置）放电短路阈值50mV~1000mV（可配置）放电高温保护40℃~99℃（可配置）
参
过放电恢复电压2.0V~3.6V（可配置）短路保护延时0uS~960uS（可配置）放电高温保护恢复40℃~99℃（可配置）
数
过放电保护延时0.1S~40S（可配置）充电过流阈值20mV~200mV（可配置）放电低温保护-40℃~15℃（可配置）
列
预充电开启电压1.0V~3.0V（可配置）充电过流保护延时10mS~20S（可配置）放电低温保护恢复-40℃~15℃（可配置）
表
预充电开启延时1S放电过流恢复延时100mS~2000mS（可配置）温度保护及释放延时2S
低电压禁止充电电压0.5V~2.0V（可配置）充电过流恢复延时500mS温度保护精度±4℃（最大）
异常高压保护电压3.8V~5.0V（可配置）阈值100mV：±10mVNTC选型103AT(B=3435,3950)
电流保护精度
异常高压保护延时8S~64S（可配置）阈值≥100mV：±10%
电压保护精度±25mV
功能列表欠压负载锁定支持断线监测支持
三、Option配置（如下参数配置仅针对SH367309级联方案）
正确配置
充放电过流控制异常高压断过流负载备注
预充电平衡低压充电CTL管脚控制欠压关CHG
OPTIONMOSFETMOSFET线检测释放锁定
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