LOGIC FLOW 问题参考答案.pdfVIP

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

LOGICFLOW问题参考答案

1.ZEROOXIDE的作用是什么？

第一是为后序的ZEROPHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。

PR中所含的有机物很难清洗。

第二，WAFTERMARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不

会对衬底造成损伤。

第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。

2.ZEROPHOTO的目的是什么？WAFTERMARK是否用光照？

ZEROPHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASMLsteppersystemrequiresazeromark

forglobalalignmentpurpose。WAFTERMARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号。

3.STIPADOXIDE的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？

NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE

作为缓冲层，同时也作为NITRIDEETCH时的STOPLAYER。如果太薄，会托不住NITRIDE,

对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长线氧时易形成鸟嘴。PADOXIDE是用湿氧的方法生

长的。

4.STINITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？

NITRIDE是作为STICMP的STOPLAYER。NITRIDE的厚度要精确控

制，一方面与PADOXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度

为1625A时的CDcontrol最好；另一方面与BIRD’SBEAK的形成有关。如果NITRIDE太

厚，BIRD’SBEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PADOXIDE，可减小缺

陷，但BIRD’SBEAK会增加。

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

5.在STIETCH中SION的作用是什么？在整个0.18umSRAMFLOW中SION厚度

有几个？

STIETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。在

整个0.18umSRAMFLOW中SION的厚度有3个：320A,400A,600A。

6.在STIHDP前LINER-OXIDE的作用是什么？

LINEROXIDE是用热氧化的方法生长的。一方面在STIETCH后对SI会造成损伤，生

长一层LINEROXIDE可以修补沟道边缘Si表面的DAMAGE；在HDP之前修复尖角，减

小接触面，同时HDPDEPOXIDE是用PLASMA,LINEROXIDE也作为HDP时的缓冲层。

7：HDPDEP原理？

A：在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死，产生空

洞现象，因为有PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤。

8：为什么HDPDEP后要有RTA？

A：因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来

消除。

9：为什么在STICMP前要进行ARPHO和ETCHBACK？

A：ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD生长的OXIDE上形成图示形状，先用

DRY方法去掉大块的OXIDE，使CMP