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沟槽结构碳化硅的外延填充方法

碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子和光电子等领域得到了广泛应用。尤其在制造高压、高温和高频器件时，碳化硅材料更是具有显著优势。然而，碳化硅器件的制造过程中，沟槽结构的外延填充是一个技术难点，直接关系到器件的性能和可靠性。本文将详细介绍一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法。

一、引言

沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。

二、外延填充方法

1.实验准备

在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。

生长实验片：用于确定外延生长工艺参数，包括氢气流量、反应室生长压力、生长温度、硅氢比和碳硅比等。通过调整这些参数，可以得到沟槽台面和沟槽底部的外延沉积速率。

刻蚀实验片：用于确定氯化氢刻蚀工艺参数，包括反应室刻蚀压力和氯氢比等。这些参数决定了沟槽台面和沟槽底部的刻蚀速率。

2.正式片的外延填充

在完成实验准备后，将含沟槽结构的碳化硅正式片置于外延系统反应室内的石墨基座上，并按照以下步骤进行外延填充：

外延生长：向反应室通入硅源和碳源，并根据沟槽结构层的掺杂类型，通入n型或p型掺杂源。根据生长实验片确定的外延生长工艺参数，开始外延生长。通过控制生长时间，可以控制沟槽底部的沉积厚度。

压力降低：生长结束后，关闭硅源和碳源，保持氢气流量不变，快速降低反应腔压力。

氯化氢刻蚀：根据刻蚀实验片确定的刻蚀工艺参数，向反应室通入氯化氢气体，通过氯化氢辅助氢气刻蚀去除沟槽结构台面上的外延层，同时改善槽内外延层表面质量。

重复生长与刻蚀：重复上述外延生长和氯化氢刻蚀的步骤，直至达到所需的厚度要求，即完成沟槽结构的外延填充。

抛光去除多余外延层：开腔取片后，通过抛光去除多余的外延层，以获得平整的表面。

三、具体工艺参数

生长工艺参数：氢气流量为60~120L/min，反应室生长压力为200~400mbar，生长温度为1600~1700℃，硅氢比小于0.08%，碳硅比为0.6~1.3。

刻蚀工艺参数：反应室刻蚀压力为80~400mbar，氯氢比≥1%。

四、方法优势

高填充率：通过精确控制外延生长和刻蚀的工艺参数，可以大幅提高高深宽比沟槽结构的外延填充率。

无空洞：该方法能够有效避免沟槽结构中空洞的出现，提高器件的可靠性和稳定性。

节省成本：通过优化工艺参数，可以减少碳化硅晶片的使用量和断面SEM检测的次数，从而降低工艺成本。

五、结论

沟槽结构碳化硅的外延填充方法是碳化硅器件制造过程中的关键环节。通过精确控制外延生长和刻蚀的工艺参数，可以实现高填充率、无空洞的外延填充，从而提高器件的性能和可靠性。这一方法不仅适用于碳化硅器件的制造，也为其他高性能半导体材料的器件制造提供了借鉴和参考。

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高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（TotalThicknessVariation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（TotalIndicatedReading总指示读数，STIR（SiteTotalIndicatedReading局部总指示读数），LTV（LocalThicknessVariation局部厚度偏差）等这类技术指标。

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重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测）

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