网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

Ta掺杂InZnO薄膜晶体管的制备和电学性能研究.pdf

Ta掺杂InZnO薄膜晶体管的制备和电学性能研究.pdf

  1. 1、本文档共69页,其中可免费阅读21页,需付费100金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

摘要

摘要

随着显示技术的发展,人们对于显示器的要求越来越高。非晶金属氧化物

半导体因其具有可低温制备、均一性好、光学带隙宽、迁移率高和可弯曲等特

点被认为是用于下一代高清透明柔性显示器的重要材料之一。近年来大多数报

道的氧化铟锌(IZO)基薄膜晶体管(TFT)的迁移率性能足以满足高清显示,于是研

究目标逐渐转为追求优秀的综合性能。目前对于器件稳定性的研究相对较少,

高价阳离子的掺入可以通过降低薄膜内氧空位浓度从而提升器件的稳定性

文档评论(0)

dongbuzhihui + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档