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STGB30H65DFB2
Datasheet
Trenchgatefield-stop,650V,30A,high-speedHB2seriesIGBT
inaD²PAKpackage
Features
TAB•Maximumjunctiontemperature:T=175°C
J
•LowVCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=30A
2
13•Veryfastandsoftrecoveryco-packageddiode
•Minimizedtailcurrent
D²PAK•Tightparameterdistribution
•Lowthermalresistance
C(2,TAB)•PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient
Applications
G(1)•Welding
•Powerfactorcorrection
•UPS
•Solarinverters
E(3)NG1E3C2T•Chargers
Description
ThenewestIGBT650VHB2seriesrepresentsanevolutionoftheadvanced
proprietarytrenchgatefield-stopstructure.TheperformanceoftheHB2seriesis
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