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单晶硅生长技术现状
11/9/2024
单晶硅简介
ß硅(Si)材料是信息技术、电子技术和光伏技术最重
要的基础材料。
ß从种意义上讲,硅是影响国家未来在高新技术和
能源领域实力的战略资源。
ß作为一种功能材料,其性能应该是各向异性的,因
此半导体硅大都应该制备成硅单晶,并加工成抛光
片,方可制造IC器件,超过98%的电子元件都是使
用硅单晶
11/9/2024
单晶硅简介
ß单晶硅属于立方晶系，金刚石结构，是一种性能优良
的半导体材料。
ß自上世纪40年代起开始使用多晶硅至今，硅材料的生
长技术已趋于完善，并广泛的应用于红外光谱频率光
学元件、红外及射线探测器、集成电路、太阳能电池
等。
ß此外，硅没有毒性，且它的原材料石英(SiO2)构成了
大约60%的地壳成分，其原料供给可得到充分保障。
ß硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要、产量最
大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料。
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应用简介
11/9/2024
11/9/2024
单晶硅生长的原材料:多晶硅原料的制备
技术
ß地球上Si材料的含量丰富，它以硅砂的Sia:状态存在
于地球表面。从硅砂中融熔还原形成低纯度的Si是制造
高纯度Si的第一步。将Si仇与焦炭、煤及木屑等混合，
置于石墨电弧炉中在1SDO℃一2000℃下加热，将氧化
物分解还原，可以获得纯度为98%的多晶硅。接下来需
将这种多晶硅经一系列的化学过程逐步纯化，其工艺及
化学反应式分别如下:
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工艺及化学反应式分别如下
ß1.盐酸化处理
将冶金级Si置于流床反应器中，通人盐酸形成
SiHCI
2.蒸馏提纯
置于蒸馏塔中，通过蒸馏的方法去除其他的反应杂质
ß3.分解析出多晶硅
将上面已纯化的SiHCl}置于化学气相沉积反应炉中与氢
气，发生还原反应，使得单质Si在炉内高纯度细长硅
棒表面析出，再将此析出物击碎即成块状多晶硅
ßSi单晶的生长是将Si原料在1420℃以上的温度下融化，
再小心的控制液态一固态凝固过程，以长出直径4英寸、
5英寸、6英寸或8英寸的单一结晶体。
ß目前常用的晶体生长技术有:①提拉法，也称CZ法是将
Si原料在石英塔中加热融化，再将籽晶种入液面，通过
旋转和上拉长出单品棒②悬浮区熔法(floatingzone
technique),即将一多晶硅棒通过环带状加热器使多晶
硅棒产生局部融化现象，再控制凝固过程而生成
ß单晶棒:据估计，CZ法长晶法约占整个Si单晶市场的82%
，其余采用悬浮区熔法制备。
单晶硅主要生长方法
直拉法生长单晶硅容易控制，产能区熔法可生长出纯度高均匀性好的
比区熔高，会引入杂质，应用于半单晶硅，应用于高电压大功率器件
导体集成电路、二极管、外延片衬上，如可控硅、可关断晶闸管。
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底、太阳能电池。
直拉法生长硅单晶
ß基本原理：原料装在一个坩埚中，坩埚上
方有一可旋转和升降的籽晶杆，杆的下端
有一夹头，其上捆上一根籽晶。原料被加
热器熔化后，将籽晶插入熔体之中，控制
合适的温度，使之达到过饱和温度，边旋
转边提拉，即可获得所需单晶。因此，单
晶硅生长的驱动力为硅熔体的过饱和。根
据生长晶体不同的要求，加热方式可用高
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