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百学须先立志。——朱熹

碳化硅行业分析报告

碳化硅行业分析报告

1、碳化硅性能优势突出

主流半导体采用硅材料，射频、功率、光通信等特殊应用对

半导体材料提出特殊需求。SiC是制作高温高频、大功率高压器

件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物

半导体材料。

1.1、SiC性能优势显著

同半导体材料硅（Si）相比，其禁带宽度是硅（Si）的3倍，

击穿电压是其8-10倍，导热率是其3-5倍，电子饱和漂移速率是

其2-3倍。

SiC在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压

方面，SiC阻抗更低，禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，

带来更小尺寸的产品设计和更好效率；耐高频方面，SiC不存在

电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度

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的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温方

面，SiC拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温

度下工作。因此，SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小

型化和轻量化要求，有望成为未来最被广泛使用的半导体芯片基

础材料。SiC主要用于功率或射频器件，适用于600V以上的高压

场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等等电

力电子领域。其中，新能源汽车领域，功率半导体主要应用于电

机控制器、DC/DC变换器、车载充电机、压缩机、水泵、油泵，

同时还应用于配套充电桩。

1.2、SiC衬底价值量最大，6英寸晶片成为主流

SiC产业链主要包括上游衬底、中游外延、下游器件制造和

模块封装，产业链价值量倒挂，其中衬底制造技术壁垒最高、价

值量最大，是未来SiC大规模产业化推进的核心。

衬底：最为核心的环节，价值量最高，约为46%。根据电阻

率的不同，可分为导电型和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频

器件领域。高纯硅粉和高纯碳粉采用物理气相传输法（PVT）生

长SiC晶锭，之后经过滚磨、切割、研磨、抛光、清洗等环节最

终形成衬底，其中晶体的生长为核心工艺，核心难点在于提升良

品率。晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，长

百学须先立志。——朱熹

晶技术壁垒高，毛利率可达50%左右。外延：价值量占比约23%，

是指在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。其中导电

型SiC衬底用于SiC外延，生产功率器件，应用于电动汽车和新

能源领域；半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，生产射频器件，

应用于5G通信等领域。

器件制造及模块封装：价值量占比约20%，产品包括SiC二

极管、SiCMOSFET、全SiC模块、SiC混合模块。应用：依据电阻

率区分，导电型SiC器件主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、

充电桩等领域；半绝缘SiC器件主要用于5G通信、数据传输、

航空航天、国防军工等领域。

半绝缘型SiC衬底市场增长迅速，6英寸晶片成为发展趋势。