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电磁场与微波第2章电磁场的基本理论.pptxVIP

电磁场与微波第2章电磁场的基本理论.pptx

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2.1电磁场中的基本物理量和基本实验定律;带电体的电荷以离散的方式分布:q(代数量)=e的正或负整数倍;3、连续分布的电荷及电荷密度;2、恒定电流:电荷流动的速度不随时间改变;注意:

面电流是在厚度为零的表面上流过的电流,其所占体积为零,是一种抽象的概念。

体电流密度是有限值,在体积为零的表面上流过的电流为零。;F/m——真空的介电常数;电场强度是一个矢量函数

电场强度的大小等于单位正电荷在该点所受电场力的大小

电场强度的方向与正电荷在该点所受电场力的方向一致;4、连续分布电荷的电场强度;四、安培力定律和磁感应强度

1、安培力定律

真空中电流回路之间的相互作用力的规律。;2、磁感应强度(或磁通密度);2.2静电场;2、静电场的旋度;3、高斯定律应用:只有具有一定对称性的场才能得到解析解。;例2.5:利用高斯定律求电场强度。已知电荷分布于??个半径为a的球形区域内,电荷体密度为(其中?0为常数)。;二、电位

1、电位?的引入;点电荷;为了得到确定的电位值,人为地选定空间某点P为电位参考点(即电位零点)。;例2.6:求例2.5中全空间的电位分布。

解:;——电位的泊松方程;三、电介质中的高斯定律及边界条件;电偶极子可以用电偶极矩描述。;3、电介质中的高斯定律;4、电介质的本构关系;或;或;(3)电位函数的边界条件;四、静电场的能量;整个空间增加?d?外力做功;对于面电荷系统;上式中第一项为零;例2.10同轴线内导体半径为a、外导体内半径为b,内、外导体间填充介电常数为?的介质,外加电压为U,求同轴线单位长度内储存的电能。

解:;一、恒定电场的基本方程;对恒定电流,电荷在空间的分布不随时间改变,电流连续性方程为;电路理论中,电场力单位时间内做功(功率)为;三、恒定电场的边界条件;例2.13如图,一个有两层介质?1、?2的平行板电容器,两层介质的电导率分别为?1、?2,极板的面积为S,求该电容器的漏电导G。在外加电压U时,求两极板及介质分界面上的自由电荷密度。;(媒质2?1:D1n-D2n=?S);四、恒定电场与静电场的比拟

导电媒质中的恒定电场(电源外)静电场(?=0的区域);静电比拟:两种场对应的物理量所满足的方程形式上是一样的,若两个场边界条件也相同,那么通过对一个场的求解或实验研究,利用对应量的关系进行置换,便可得到另一个场的解。;2.4恒定磁场;2、恒定磁场的旋度和安培定理;二、矢量磁位

1、矢量磁位的引入;令无限远处A的量值为零(参考矢量位),则各式的特解分别为;4、矢量磁位的优点:;三、磁介质中的安培定律及边界条件

1、磁介质的磁化

研究物质的磁效应时,将物质称为磁介质。;无外磁场作用时,磁介质对外不显磁性,;2、磁化强度M:单位体积的总磁矩,描述磁介质的磁化程度,即;——磁场强度(A/m);4、磁介质本构关系;例:求磁场分布。

解:据安培定律;B的边界条件;例2.16如图所示,环行铁芯螺线管的半径a远小于环半径R,环上均匀密绕N匝线圈,通过电流为I,铁芯磁导率为?,计算环中的B、磁通?、磁链?和自感L。如果在环上开一个小的切口,长度为l,匝数、电流如前,假设铁芯的?也不变,再计算环中和空气隙的B和H。;解:a??R,铁芯截面的场看作均匀场,由安培定律有;当在环上开一个小的切口时,据边界条件B1n=B2n,有;四、恒定磁场的能量

电流回路在恒定磁场中要受到磁场力的作用而发生运动,表明恒定磁场储存着能量。磁场能量是建立电流的过程中由电源供给的,分布于磁场所在的整个空间中。

当电流从零开始增加时,据法拉第电磁感应定律,回路中感应电动势要阻止电流的增加,因而必须有外加电压克服回路中的感应电动势。;例2.17求同轴线单位长度储存的磁场能量。;2.5时变电磁场;即:变化的磁场产生电场。回路中的感应电动势与构成回路的导体性质无关(甚至可以是假想回路)。只要回路所围面积的磁通发生变化,就会产生感应电动势,就存在感应电场,且穿过回路所围面积的磁通变化是产生感应电动势的唯一条件。;二、位移电流;恒定场时变场;三、Maxwell方程和边界条件

英国科学家麦克斯韦在前人得到的实验结果的基础上,提出科学的假设和符合逻辑的分析,将静态场、时变场的电磁基本特性用统一的电磁场基本方程组(麦克斯韦方程组)高度概括。麦克斯韦方程组是研究宏观电磁场现象的理论基础。;安培环路定律——麦克斯韦第一方程,磁场强度沿任意闭合曲线的环量等于穿过该闭合曲线为洲界的任意曲面的传导电流与位移电流之和;传导电流和时变电场都能产生

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