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硅材料制备技术基础知识单选题100道及答案

1.硅在自然界中主要以什么形式存在？

A.单质硅B.二氧化硅C.硅酸钠D.硅酸

答案：B

2.以下哪种方法不是常用的制备高纯硅的方法？

A.区熔精炼法B.化学气相沉积法C.电解法D.直拉法

答案：C

3.单晶硅的制备过程中，常用的籽晶材料是？

A.多晶硅B.高纯硅C.单晶硅D.石英

答案：C

4.化学气相沉积法制备硅材料时，常用的硅源气体是？

A.SiH4B.SiCl4C.SiF4D.以上都是

答案：D

5.硅材料中杂质的存在会影响其？

A.导电性B.硬度C.颜色D.密度

答案：A

6.区熔精炼法主要是利用了杂质在？

A.固相和液相中的溶解度差异B.不同温度下的挥发性差异

C.不同相中的扩散速度差异D.不同相中的化学活性差异

答案：A

7.直拉法制备单晶硅时，晶体的生长方向主要由什么决定？

A.坩埚的形状B.籽晶的方向C.加热功率D.熔体的温度

答案：B

8.硅材料在半导体器件中主要利用的是其？

A.光学性质B.力学性质C.电学性质D.热学性质

答案：C

9.以下哪种杂质在硅材料中是施主杂质？

A.硼B.磷C.铝D.镓

答案：B

10.硅材料的禁带宽度大约是？

A.0.5eVB.1.12eVC.2.0eVD.3.0eV

答案：B

11.硅材料的晶体结构属于？

A.简单立方结构B.体心立方结构C.面心立方结构D.金刚石结构

答案：D

12.制备硅材料时，对原材料纯度的要求通常是？

A.90%以上B.95%以上C.99%以上D.99.9999%以上

答案：D

13.硅材料在集成电路中的主要作用是？

A.绝缘B.导电C.作为衬底和有源区D.散热

答案：C

14.化学气相沉积法制备硅材料的优点不包括？

A.可以精确控制薄膜的成分和厚度B.沉积温度低

C.可以大面积均匀沉积D.设备简单

答案：D

15.单晶硅的生长过程中，需要控制的关键参数不包括？

A.温度B.压力C.光照强度D.拉速

答案：C

16.硅材料的热导率随温度的升高？

A.升高B.降低C.不变D.先升高后降低

答案：B

17.以下哪种方法可以用于检测硅材料中的杂质？

A.X射线衍射法B.拉曼光谱法C.二次离子质谱法D.扫描电子显微镜法

答案：C

18.硅材料的电阻率与杂质浓度的关系是？

A.杂质浓度越高，电阻率越高B.杂质浓度越高，电阻率越低

C.杂质浓度与电阻率无关D.杂质浓度在一定范围内与电阻率成正比

答案：B

19.多晶硅的制备方法中，西门子法的主要原料是？

A.石英砂B.三氯氢硅C.四氯化硅D.硅烷

答案：B

20.硅材料在光伏电池中的作用是？

A.吸收光能并产生电子-空穴对B.作为电极C.作为封装材料D.反射光线

答案：A

21.单晶硅的制备过程中，缩颈的目的是？

A.排除杂质B.控制晶体直径C.提高晶体质量D.便于籽晶的引入

答案：A

22.硅材料的化学性质比较？

A.活泼B.不活泼C.介于活泼与不活泼之间D.随温度变化而变化

答案：B

23.以下哪种物质可以与硅发生化学反应？

A.氧气B.氮气C.氦气D.氩气

答案：A

24.硅材料在高温下与氧气反应生成？

A.一氧化硅B.二氧化硅C.三氧化硅D.四氧化硅

答案：B

25.硅材料的制备过程中，需要进行严格的？

A.湿度控制B.光照控制C.磁场控制D.噪声控制

答案：A

26.单晶硅的晶向对其电学性能有？

A.很大影响B.较小影响C.没有影响D.影响不确定

答案：A

27.硅材料的硬度与？

A.晶体结构有关B.杂质浓度有关C.温度有关D.以上都有关

答案：D

28.化学气相沉积法制备硅薄膜时，沉积速率主要取决于？

A.气体流量B.温度C.压力D.以上都是

答案：D

29.硅材料在电子器件中能够承受的最高温度一般是？

A.100℃B.200℃C.500℃D.1000℃

答案：C

30.以下哪种方法可以改善硅材料的晶体质量？

A.快速冷却B.缓慢冷却C.反复加热D.增加杂质浓度

答案：B

31.硅材料的光学吸收系数与？

A.波