网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

第五章习题解答(模电康第五版).ppt

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

习题课5.1.1图示为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如是增强型,说明它的开启电压VT=?如是耗尽型,说明它的夹断电压VP=?(图中iD的假定正方向为流进漏极)20-3-1iD/mAvGS/V-24-30-11iD/mAvGS/V2-40-4-2iD/mAvGS/V-2解:N沟道耗尽型夹断电压VP=-3VP沟道耗尽型夹断电压VP=2VP沟道增强型开启电压VT=-4V

5.1.2图示为MOSFET的转移特性(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问:⑴该管是增强型还是耗尽型?⑵是N沟道还是P沟道FET?⑶从这个转移特性上可求出该FET具有夹断电压VP还是开启电压VT?其值等于多少?解:P沟道增强型开启电压VT=-4V103-2iD/mAvGS/V-42

5.3.9FET恒流源电路如图,设已知管子的参数gm、rds,且μ=gmrds。试证明AB两端的小信号电阻rAB为rAB=R+(1+gmR)rds证明:+-++--

您可能关注的文档

文档评论(0)

191****6126 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档