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封装制程光刻的瑞利公式

封装制程光刻中的瑞利公式主要有两个，即瑞利第一公式和瑞利第二公式。

瑞利第一公式为：CD=k1λ/NA。其中，CD代表投影式光刻机的分辨率，λ为光源波长，k1为工艺因子，NA为物镜的数值孔径。这个公式说明，光源波长、数值孔径和光刻工艺系数共同决定了投影式光刻机的分辨率。通过不断改进λ、k1、NA三个参数，35年间分辨率降低了两个数量级。其中，光源波长从汞灯光源436nmg-line进化到了极紫外光源13.5nmEUV，追求极致光源是光刻机历史演进的主要方向。工艺因子k1的物理极限被认为在0.25。数值孔径NA则与介质折射率和镜头聚焦至成像面的角度有关。

瑞利第二公式为：DoF=k2λ/NA^2。其中，DoF代表焦深，即硅片沿光路移动时能保持曝光成像质量的距离。焦深限制了NA的无限扩大，因为焦深越大，层间误差越小。在降低分辨率的过程中，增大数值孔径是一个主要方法，但需要考虑与焦深的折中。

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