【MOOC期末】《固体与半导体物理基础》(电子科技大学)期末中国大学慕课答案.docx

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【MOOC期末】《固体与半导体物理基础》(电子科技大学)期末中国大学慕课答案

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期末考试

固体与半导体物理基础期末考试客观题部分

1.单选题：在室温全电离的情况下，P型半导体的掺杂浓度为，有n型杂质（）的掺入，若，在不考虑本征激发的情况下，其电中性条件为（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】

2.单选题：n型半导体费米能级EF不仅随温度变化，还随掺杂的浓度而变化，当n型杂质浓度增加，其费米能级逐渐向（）靠拢

选项：

A、禁带中线

B、导带底部

C、价带顶部

D、导带顶部

答案：【导带底部】

3.单选题：在布区边界，布洛赫电子

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