DB51T 3238-2024 基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则.docxVIP

ICS29.220

ICS

29.220

CCS

K82

四 川 省 地 方 标 准

DB51/T3238—2024

基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则

2024-12-18发布 2025-01-18实施

四川省市场监督管理局 发布

DB51/T3238

DB51/T3238—2024

I

I

目 次

前言 II

范围 1

规范性引用文件 1

术语和定义 1

缩略语 1

主要材料要求 2

制备技术 2

成品测试 4

DB51/T3238

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II

II

前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由四川省经济和信息化厅提出、归口、解释并组织实施。

本文件起草单位：通威太阳能（成都）有限公司、成都市标准化研究院、通威太阳能（眉山）有限公司、四川省通威晶硅光伏产业创新有限公司、四川高景太阳能科技有限公司、宜宾英发德耀科技有限公司、四川东磁新能源科技有限公司、四川美科新能源有限公司。

本文件主要起草人：邢国强、蒋方丹、蒋丽琼、胡承志、孟夏杰、陈杨、杨焘、余斌、姚骞、李俊、张云莎、毕喜行、乔乐、薛玉雪、韩晨、金刚刚、王艺澄。

DB51/T3238

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基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则

范围

本文件规定了基于PECVD工艺的TOPCon太阳电池制备所涉及的主要材料、制备技术、成品测试的要求。

本文件适用于基于PECVD工艺路线制备TOPCon太阳电池。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2297 太阳光伏能源系统术语

GB/T6495.1 光伏器件第1部分：光伏电流—电压特性的测量

GB/T14264 半导体材料术语

SJ/T11760 光伏电池绒面反射率的测量光电积分法

SJ/T11829.1 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备第1部分：管式PECVD设备

IECTS63202-2 光伏电池第2部分：晶体硅太阳能电池的电致发光成像（Photovoltaiccells-Part2:Electroluminescenceimagingofcrystallinesiliconsolarcells）

术语和定义

GB/T2297、GB/T14264、SJ/T11829.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

TOPCon太阳电池tunneloxidepassivatedcontactsolarcell

超薄氧化硅层及掺杂多晶硅层钝化接触太阳电池。

3.2

硼硅玻璃层borosilicateglasslayer

富含硼元素的二氧化硅层。

3.3

磷硅玻璃层phosphosilicateglasslayer

富含磷元素的二氧化硅层。

缩略语

下列缩略语适用于本文件。

PECVD：等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）

主要材料要求

N型单晶硅片

长度与宽度

TOPCon太阳电池所用N型单晶硅片为含倒角的矩形，尺寸宜符合表1要求。

表1 TOPCon太阳电池硅片长度与宽度要求

项目

长度(mm)

宽度(mm)

尺寸偏差(mm)

要求

166≤L≤230

83≤W≤230

±1

厚度

硅片厚度宜符合100μm~150μm。

少子寿命

硅片少子寿命≥800μs。

氧含量

硅片氧含量≤6×1017atoms·cm-3(12ppma)。

碳含量

硅片碳含量≤5×1016atoms·cm-3(1ppma)。

气体

PECVD制备超薄氧化硅层及N型掺杂多晶硅层的气体纯度宜符合表2要求。

表2 PECVD制备超薄氧化硅层及N型掺杂多晶硅层的气体纯度要求

气体类型

纯度要求

一氧化二氮（N2O）

≥99.999%

硅烷（SiH4）

≥99.9999%

磷化氢（PH3）

≥99.999%

氢气（H2）

≥99.999%

氮气（N2）

≥99.999%

氨气（NH3）

≥99.9999%

制备技术

工艺流程

PECVD工艺路线制备TOPCon太阳电池流程宜符合图1。

图1 PECVD工艺路线制备TOPCon太阳电池