WSi2N4(Al2STe)基二维范德瓦尔斯异质结的光电性质.pdfVIP

摘要

在实验上被成功剥离出来的二维石墨烯，与其块状相比，具有非凡的力、热、光、

电学等特性，得到了研究人员的青睐。但是，由于石墨烯本身的零带隙的半金属性，限

制了其在光电子器件上的潜在应用。在科研人员探索可替代石墨烯的二维材料过程中，

过渡金属二卤化物（TMDC）因其较高的结构稳定性、可调节的带隙以及自旋与谷自由

度之间的强耦合迅速成为人们关注的焦点，它们满足光电子学、场效应晶体管、太阳能

电池等的需求。此外，人们在实验室利用化学气相沉淀的方法，通过硫化MoSe2或者硒

化MoS，成功合成了具有大跨度平面偶极子结构的二维JanusMoSSe。Janus结构特点

2

决定了它们的跨平面不对称性。对称性的破坏产生了内置电场，使其产生了许多迷人的

优异性质。例如，与传统的TMDC单层相比，Janus单层不仅保留了谷的性质，而且具

有Rashba分裂、自发的平面外偶极子、较高的载流子迁移率和较大的固有压电效应，

这使得它们在平面外压电器件和自旋电子器件方面具有巨大的潜力。然而，二维单层材

料并不能满足在多功能器件上的需求。令人欣喜的是，在实验上把两种或两种以上不同

电子结构的二维单层用类似堆积木的形式堆积在一起，可以构建二维范德瓦尔斯异质结

vdWHs

（），它们在某些方面突破了其单层的限制，表现出优异的电子性能，在纳米电

子学和光伏器件等设计中发挥着关键作用。

为了寻找具有优异光电性质的二维vdWHs，本文基于密度泛函理论的第一性原理

计算预测了几种结构稳定、载流子迁移率大、光学性质显著、光电性质可调节的二维

vdWHs材料。本工作主要研究如下：

（1）研究了由XSe(XMo，W)和WSiN构成的vdWHs的电子结构以及它们的

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vdWHs104

光学性质。结果显示两种的空穴迁移率达到数量级，远好于其孤立单层。此

外，XSe/WSiNvdWHs表现出比单层更好的光吸收。同时层间耦合、双轴应变和外加

224

电场可以灵活地调整XSe/WSiNvdWHs的能带对齐类型。我们的结果表明了

224

XSe/WSiNvdWHs在光电子器件中的巨大应用潜力。

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（2）研究了界面类型对JanusAlGaSTe和WSiN形成的vdWHs的电子结构和载流

24

子迁移率的影响。结果表明Te/WSiN(AlGaSTe/WSiN)界面vdWH表现为直接带隙为

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1.47eV的type-Ⅰ能带对齐，S/WSiN(AlGaTeS/WSiN)界面vdWH是直接带隙为0.88eV

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I

的type-Ⅱ能带对齐。而且两种界面vdWHs沿y方向的电子载流子迁移率已经处于104

数量级，要远优于孤立单层。此外，外加电场和双轴应变可以灵活地调整电子结构，使

AlGaSTe/WSiNAlGaTeS/WSiNvdWHstype-Ⅰtype-Ⅱ

得24和24的能带结构在和能带对齐、

直接带隙和间接带隙之间变化。我们的结果表明AlGaSTe/WSiN和AlGaTeS/WSiN

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vdWHs在光电子器件中具有很大的应用潜力。

3JanusTeAlSTeGaS