DB32T-衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜 方块电阻的无损测试 四探针法.pdf

ICS65.020.40

B61

DB32

江苏省地方标准

DB32/TXXXXX—2022

衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻

的无损测试四探针法

Nano,sub-micronscalefilmonsubstrate—Non-destructivetestmethod

ofsheetresistance—Fourprobemethod

2022-09-XX发布2022-10-XX实施

江苏省市场监督管理局发布

DB32/TXXXXX—2022

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起

草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由江苏省石墨烯检测标准化技术委员会提出并归口。

本文件起草单位：江苏省特种设备安全监督检验研究院（国家石墨烯产品质量检验检测中心（江

苏））、苏州晶格电子有限公司、河南煜合科技集团有限公司、江苏华永烯科技有限公司、江南大学、

无锡华鑫检测技术有限公司、中国矿业大学、烯源科技无锡有限公司。

本文件主要起草人：杨永强、丁海龙、区炳显、谢一麟、陈武魁、刘禹、魏宁、呼志跃、王云超、

王勤生、马龙、李璐、屈晓兰、陈辉、秦继恩。

I

DB32/TXXXXX—2022

衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻的无损测试四探针法

1范围

本文件规定了采用导电橡胶探头进行衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻四探针无损测试的方法。

本文件适用于目测平坦且表面存在纳米、亚微米尺度薄膜样品的方块电阻测定，方块电阻测试范围为1

-44

×10Ω/□~1×10Ω/□。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文

件。

GB/T1551-2021硅单晶电阻率测定直排四探针法和直流两探针

GB/T14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

薄膜film

同长度与宽度相比厚度极小，可随意限定最大厚度的薄而平的制品。

[来源：GB/T33376-2016，定义2.1.5，有修改——删减了“通常按卷状提供”描述]

3.2

四探针fourpointprobe

测量材料电阻率的一种点探针装置/其中一对探针用来通过流经样品的电流，另一对探针测量因电

流引起的电势差。

[来源：GB/T14264-2009，术语3.97]

3.3

方块电阻sheetresistance

Rs

半导体或薄金属膜的薄层电阻，与电流平行的电势梯度对电流密度和厚度乘积的比。

注：也称薄层电阻。

[来源：GB/T14264-2009，术语3.221]

4方法原理

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