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模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将(A)。

A增大B减小C不变D等于零

2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管(D)

A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏

3.某放大电路图所示.设VVL≈0，则在静态时该三极管处于(B)

CCBE,CEO

A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定

4.半导体二极管的重要特性之一是(B)。

(A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)滤波特性

5.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

(B)失真。

(A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线性失真

U

6.电路如图所示，二极管导通电压＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是(B)。

D

A：u=3V，u=0.3V时输出电压为3.7V。

I1I2

B：u=3V，u=0.3V时输出电压为1V。

I1I2

C：u=3V，u=3V时输出电压为5V。

I1I2

D：只有当u=0.3V，u=0.3V时输出电压为才为1V。

I1I2

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q点移动到Q点可

23

能的原因是。

A：集电极电源+V电压变高B：集电极负载电阻R变高

CCC

C：基极电源+V电压变高D：基极回路电阻R变高。

BBb

模拟电子技术基础试