§2.3-双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10.docVIP

[键入文字] §2.3双极性晶体三极管习题4

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§2.3双极性晶体三极管综合习题1与答案

考核内容

1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。

2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。

双极性晶体三极管综合习题1

一、填空题

1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。

2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（BipolarJunctionTransistor）和场效应管FET（FieldEffectTransistor）。

3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT）又称为半导体三极管。

4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。

5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（JunctionFET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-OxideSemiconductorFET，缩写为MOS-FET）。其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。

*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。

8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。将发射极与基极之间的PN结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。

9、晶体三极管两个PN结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、（Emitter）、基极(Base)和集电极（Collector），分别用字母E、B、C表示。

10、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP型和NPN型两大类。有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是NPN型，箭头方向向内是PNP型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流的真实方向。

11、晶体三极管BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频晶体管，按照功率分，有小、中、大功率晶体管，按照半导体材料分，有硅管和锗晶体管等。

12、使三极管起放大作用的外部条件是：发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。

13、三极管的电流分配规律公式IE=IB?IC，即发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。无论是NPN型管还是PNP型管，均符合这一规律。

14、三极管的电流放大作用实质：由于基极电流IB的变化，使集电极电流IC发生更大的变化。也就是说，基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化，是“以小控大”的作用。

15、三极管IE电流与IB电流关系：IE=IB?IC=IB?=（1+

16、基极电流和集电极电流之比基本为常量，该常量称为共发射极直流放大系数，定义为：

17、基极电流有微小的变化量ΔiB，集电极电流就会产生较大的变化量ΔiC，且电流变化量之比也基本为常量，该常量称为共发射交流放大系数β，定义为：

18、已知工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约

19、NPN三极管中，电流IB、IC流入三极管，电流IE流出三极管；

20、PNP三极管中，电流IE流入三极管，电流IB、IC流出三极管。

21、共发射极电路基极为输入端，集电极为输出端。发射极作为公共端

22、共基极电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。

23、共集电极电路基极为输入端，发射极为输出端。集电极为公共端

24、根据三极管放大电路输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为共发射极，共基极，共集电极三种电路。

25、在三极管放大电路中，应保证发射结正向偏置，而集电结反向偏置。

26、晶体三极管有三个区：发射区、基区、集电区；两个PN结：发射结(BE结)、集电结(BC结)；三个电极：发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)。

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