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功率半导体制造工艺要求

功率半导体的制造工艺要求相当严格，以确保器件的性能、可靠性和稳定性。

一、材料选择与晶圆加工

材料选择：

功率半导体主要使用硅（Si）或碳化硅（SiC）作为基材。

硅是最常用的半导体材料，具有成熟的制造工艺和广泛的应用。

碳化硅则具有更高的热导率和击穿电场强度，适用于高压、高温和高功率密度的应用。

晶圆加工：

晶圆加工包括切割、抛光、清洗和蚀刻等步骤。

切割过程主要是将大型晶体切割成小晶体，以提高晶片产量。

抛光过程是为了去除晶圆表面的缺陷和污染物，使其表面更加平整。

清洗过程则是为了去除表面残留的化学物质和微粒。

蚀刻过程使用化学液体对晶圆进行腐蚀，形成所需的结构和图案。

二、氧化层形成

氧化层的作用：

提供电绝缘和防止材料氧化。

保护晶圆不受化学杂质影响，避免漏电流进入电路。

预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时的滑脱。

氧化层形成方法：

通常将晶圆暴露在氧化炉的高温环境下，并注入硅烷（SiH?）和氧气等在晶圆表面反应生成二氧化硅（SiO?）。

根据氧化反应中氧化剂的不同，热氧化过程可分为干法氧化和湿法氧化。

三、物理气相沉积（PVD）

PVD的作用：

在晶圆表面沉积薄膜，用于肖特基金属、正面金属和背面金属的沉积。

PVD的原理：

利用受到粒子束轰击时物质表面原子溅射等现象，从而实现从源物质（靶材）到产品芯片上的可控转移。

四、光刻工艺

光刻工艺的作用：

采用感光胶薄膜作为图形转移媒介的微电子制造工艺。

利用光线将感光胶薄膜刻画成所需的图形，然后以这种图形为刻蚀掩模，在硅或碳化硅基片上刻蚀出该图形。

光刻工艺的步骤：

涂覆光刻胶：采用旋涂法在晶圆表面涂覆一层光刻胶，涂覆越均匀，可以印刷的图形就越精细。

对齐与曝光：将掩膜板与晶圆对准在正确的位置上，然后通过控制光线照射来完成电路印刷。

显影与检查：曝光之后在晶圆上喷涂显影剂，目的是选择性地去除曝光后的光刻胶，从而让印刷好的电路图案显现出来。显影完成后需要通过各种测量设备和光学显微镜进行检查，确保电路图绘制的质量。

五、离子注入

离子注入的作用：

是集成电路制造的主要工艺之一，通过将离子束加速到一定能量范围（一般在keV量级），然后注入固体材料表层内，从而改变材料表层物理性质。

离子注入的步骤：

将杂质原子电离成离子，并用强电场加速，让这些离子获得很高的动能。

离子直接轰击晶体，并被“挤”进晶体内部。

完成离子注入后，产品片会进入高温激活炉中并在一定温度下激活，以修复晶格损伤。

六、金属化和封装

金属化的作用：

在芯片表面镀上一层金属膜，形成二极管的正极或负极。

金属化的步骤：

正面金属化：在芯片表面镀上一层金属膜，形成二极管的正极，一般在4μm以上。

背面金属化：选择适当的金属作为背面金属，主要是为了增加元件柔软性，降低芯片的热阻抗，以进一步提高性能。

封装：

将元器件封装在适当的外壳中，以确保器件的可靠性和稳定性。

七、其他工艺要求

严格控制尘埃：

半导体制造过程中要求严格控制工作环境中的尘埃，做到无污染生产。

尘埃颗粒直径需控制在纳米级别。

使用超纯材料：

制造过程中所用的材料、气体和试剂等必须是超纯的。

有害杂质含量需控制在PPB（十亿分之一）以下。

先进的加工技术：

采用微细加工技术，包括晶体生长和薄层生成技术、微细图形加工技术、精密控制掺杂技术等。

这些技术水平决定了基片材料的直径大小和每个元件所具有的微小尺寸，从而影响集成电路的集成度。

功率半导体的制造工艺要求涵盖了材料选择、晶圆加工、氧化层形成、物理气相沉积、光刻工艺、离子注入、金属化和封装等多个方面。这些工艺要求共同确保了功率半导体器件的性能、可靠性和稳定性。