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半导体器件物理性能分析考核试卷

考生姓名：答题日期：得分：判卷人：

本次考核旨在检验学生对半导体器件物理性能的基本理论、基本知识和实际应用能力，通过分析和解决实际问题，评估学生对半导体器件物理性能的理解程度。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这种性质被称为（）

A.非线性

B.半导体性

C.导电性

D.非导电性

2.晶体硅的晶体结构是（）

A.体心立方

B.面心立方

C.六方密堆积

D.体心密堆积

3.在PN结中，N区称为（）

A.阳极

B.阴极

C.P区

D.N区

4.欧姆定律适用于（）

A.晶体二极管

B.晶体三极管

C.半导体二极管

D.晶体管

5.二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的电流与电压的关系近似为（）

A.线性关系

B.指数关系

C.对数关系

D.双曲线关系

6.晶体三极管中的基区宽度通常（）

A.很宽

B.很窄

C.很厚

D.很薄

7.晶体三极管的放大作用主要利用了（）

A.集电极电流

B.基极电流

C.发射极电流

D.电流增益

8.MOS场效应晶体管中，金属氧化物层的作用是（）

A.形成导电沟道

B.控制导电沟道

C.形成源极和漏极

D.形成栅极和源极

9.半导体器件中，掺杂剂的作用是（）

A.提高导电性

B.降低导电性

C.增加导电性

D.减少导电性

10.热敏电阻的电阻值随温度升高而（）

A.增大

B.减小

C.保持不变

D.先增大后减小

11.光敏电阻的电阻值随光照强度增大而（）

A.增大

B.减小

C.保持不变

D.先增大后减小

12.半导体二极管的反向击穿电压是指（）

A.正向导通电压

B.反向导通电压

C.反向击穿电压

D.正向击穿电压

13.晶体三极管的截止频率是指（）

A.集电极电流为零的频率

B.基极电流为零的频率

C.发射极电流为零的频率

D.电流增益下降到1的频率

14.MOS场效应晶体管中的阈值电压是指（）

A.栅极电压

B.源极电压

C.漏极电压

D.栅极电压与源极电压之差

15.半导体器件中，扩散电流与漂移电流相比，其特点是（）

A.电流密度大

B.电流密度小

C.电流密度不变

D.电流密度先增大后减小

16.半导体器件中，霍尔效应产生的霍尔电压与（）

A.磁场强度成正比

B.磁场强度成反比

C.磁场强度无关

D.磁场强度平方成正比

17.半导体器件中，PN结的反向饱和电流主要是由（）

A.电子和空穴的扩散电流组成

B.电子和空穴的漂移电流组成

C.电子和空穴的复合电流组成

D.电子和空穴的散射电流组成

18.半导体器件中，晶体三极管的放大作用主要依赖于（）

A.集电极电流

B.基极电流

C.发射极电流

D.电流增益

19.半导体器件中，MOS场效应晶体管的栅极与源极之间形成导电沟道的关键是（）

A.栅极电压

B.源极电压

C.漏极电压

D.栅极电压与源极电压之差

20.半导体器件中，掺杂剂的作用是（）

A.提高导电性

B.降低导电性

C.增加导电性

D.减少导电性

21.热敏电阻的电阻值随温度升高而（）

A.增大

B.减小

C.保持不变

D.先增大后减小

22.光敏电阻的电阻值随光照强度增大而（）

A.增大

B.减小

C.保持不变

D.先增大后减小

23.半导体二极管的反向击穿电压是指（）

A.正向导通电压

B.反向导通电压

C.反向击穿电压

D.正向击穿电压

24.晶体三极管的截止频率是指（）

A.集电极电流为零的频率

B.基极电流为零的频率

C.发射极电流为零的频率

D.电流增益下降到1的频率

25.MOS场效应晶体管中的阈值电压是指（）

A.栅极电压

B.源极电压

C.漏极电压

D.栅极电压与源极电压之差

26.半导体器件中，扩散电流与漂移电流相比，其特点是（）

A.电流密度大

B.电流密度小

C.电流密度不变

D.电流密度先增大后减小

27.半导体器件中，霍尔效应产生的霍尔电压与（）

A.磁场强度成正比

B.磁场强度成反比

C.磁场强度无关

D.磁场强度平方成正比

28.半导体器件中，PN结的反向饱和电流主要是由（）

A.电子和空穴的扩散电流组成

B.电子和空穴的漂移电流组成

C.电子和空穴的复合电流组成

D.电子