半导体二极管参数的测量.ppt

01024.2.4半导体二极管参数的测量二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极管正向偏置时导通；反向偏置时截止。二极管是整流、检波、限幅、钳位等电路中的主要器件。半导体二极管的特性和主要参数1．二极管的主要特性二极管的主要参数最大整流电流指管子长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。反向电流指在一定温度条件下，二极管承受了反向工作电压、又没有反向击穿时，其反向电流值。反向最大工作电压指管子运行时允许承受的最大反向电压。应小于反向击穿电压。010203指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。良好的二极管的正向电阻约为几十Ω到几kΩ；反向电阻大于几十kΩ到几百kΩ。直流电阻二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应电流变化量之比。交流电阻r势垒电容与扩散电容之和称为极间电容。在低频工作时，二极管的极间电容较小，可忽略；在高频工作时，必须考虑其影响。二极管的极间电容测量原理和常规测试方法PN结的单向导电性是进行二极管测量的根本依据。模拟式万用表测量二极管正、反向电阻的测量通常小功率锗二极管正向电阻值为300~500?，反向电阻为几十千欧，硅管正向电阻值为1k?或更大些，反向电阻在500k?以上（大功率二极管的数值要小得多）。正反向电阻的差值越大越好。根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点可判别二极管的极性。1在测得阻值较小的一次测量中，如果用模拟万用表来测，与黑表笔相接一端为二极管正极，另一端为负极。若用数字万用表则相反。2极性的判别（3）管型的判别硅二极管的正向压降一般为0.6~0.7V，锗二极管的正向压降一般为0.1~0.3V，通过测量二极管的正向导通电压，就可以判别被测二极管的管型。方法：1.5VR1KΩV一般数字万用表上都有二极管测试档，实际测量的是二极管的直流压降。数字式万用表测量二极管直接显示二极管的伏安特性曲线。用晶体管图示仪测量二极管4．发光二极管的测量（1）用模拟式万用表判别发光二极管用欧姆档测量其正向和反向电阻。（2）发光二极管工作电流的测量6.8kΩRP6VR100ΩmA图4.15发光二极管的测量图4.2.5半导体三极管参数的测量半导体三极管是内部含有两个PN结、外部具有三个电极的半导体器件。三极管的主要参数直流电流放大系数定义为集电极直流电流与基极直流之比。交流电流放大系数三极管在有信号输入时，定义为集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比。反向击穿电压是基极b开路，集电极c与发射极e间的反向击穿电压。穿透电流基极b开路，集电极c与发射极e间加反向电压时的集电极电流。硅管的在几微安以下。集电极最大允许电流是值下降到额定值的1/3时所允许的最大集电极电流。56%Option223%Option130%Option3是集电极上允许消耗功率的最大值。01、、值由器件手册可查得，02、、可以用晶体管图示仪进行测量。03集电极最大允许功耗模拟万用表测量三极管可判断b、c、e，并估测电流放大倍数。基极的判定利用PN结的单向导电性进行判别。假设一个基极，分别测两个PN结的正向电阻和反向电阻。基极判断出来后，还可以判断管型。二、测量原理和常规测试方法具体步骤用模拟万用表红黑表笔分别测量三极管任意两个脚，每两个脚正反都测量一次。如果有且只有两个脚间的电阻无论正反向都无穷大，那么这两个脚一定是集电极和发射极，剩下的那个脚就是基极b。发射极和集电极的判别判别发射极和集电极的依据是：发射区的杂质浓度比集电区的杂质浓度高，因而三极管正常运用时的β值比倒置运用时要大得多。测试步骤万用表ER0如图(a)所示：①三极管基极集电极间接100kΩ电阻。②与模拟万用表相连。结论：显示电阻值小，三极管处于放大状态。黑表笔接的为c红表笔接的为e黑红(a)判断c、e的测量接线图100kΩ测量集电极和发射极间的电阻（对NPN，黑笔接集电极，红笔接发射极；PNP的相反），用手捏着基极和集电极，观察表针摆动幅度的大小，表针摆动越大，β值越大。01用数字万用表测量三极管一般数字万用表都有测量三极管的功能，将晶体管插入测试孔就可以读出β值。01用晶体管特性图示仪测量三极管01电流放大倍数的估测外部特性，是指通过集成电路芯片引脚反映出来的特性。1TTL与非门的外部特性主要有电压传输特性、输入特性、输出特性、电源特性和传输延迟特性等。24.