半导体器件的材料物理基础.pptVIP

爱因斯坦关系中，扩散系数D，载流子的扩散雪崩击穿电压与轻参杂的n型材料的电阻率关系其中因子m和幂指数n对不同的器件制造工艺和材料电阻率略有些变化。第三节少数载流子寿命01载流子寿命的概念02少数载流子寿命与器件特性03载流子的复合及复合寿命载流子寿命的概念是半导体从载流子密度不平衡状态恢复到热平衡状态的弛豫过程所需时间的量度。一般情况下额外载流子的注入和抽取对少数载流子的密度影响很大，热平衡的恢复主要是少数载流子热平衡的恢复，所以τ总被称作少数载流子寿命。少子寿命与器件特性半导体器件工作过程中，同时存在载流子漂移、扩散、复合；01漂移：电场力的作用，外加或内建电场；02扩散：载流子浓度梯度；03与少子寿命相关的器件特性：阻断特性、开关特性、导通特性等；04少子寿命与阻断特性1耗尽近似的空间电荷区是阻断作用的主功能区，是不稳定的非平衡态，其恢复平衡态的趋势的强弱（用少子寿命τ衡量），影响阻断特性；2由反向扩散电流：3τ越大，反向扩散电流越小，阻断特性越好；半导体材料的基本特性参数基本特性参数禁带宽度Eg临界雪崩击穿电场强度Et介电常数ε载流子饱和速度Vs载流子迁移率μ载流子密度n(p)少数载流子寿命τ第一节迁移率迁移率的定义载流子迁移率与器件特性载流子迁移率的影响因素载流子迁移率的定义01载流子迁移率μ:02自由载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。03弱电场下，μ为常数；04强电场下，μ随电场增加而减小电流承受能力和载流子迁移率有关双极器件pn结二极管为例，在外加电压U作用下，电流密度j满足肖克莱方程载流子迁移率与扩散系数的关系爱因斯坦关系在确定温度下，扩散系数的大小有迁移率唯一决定0102载流子迁移率与器件的工作频率双极晶体管频率响应特性最重要的限制，是少数载流子渡越基区的时间载流子迁移率大小的影响因素散射对载流子的迁移率具有重要影响主要的散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、载流子之间的散射等体材料中载流子散射以及表面散射用电子和声子相互作用来描述。01在轻参杂时，占主导地位。02载流子被晶格散射过程，可以是吸收或发射声学声子，也可以是吸收或发射光学声子。03晶格振动的散射两个常用的经验公式电子迁移率：空穴迁移率：完全由电离杂质散射决定载流子迁移率大小时，迁移率与温度和电离杂质的浓度呈下列关系半导体的杂质，电离后以静电力对运动于附近的电子和空穴产生散射作用。低温重掺杂时起主要作用电离杂质的散射载流子之间的散射01020304载流子对载流子的散射是运动着的多个电荷环绕其公共质心的相互散射。相同极性载流子散射对迁移率没有影响或很小。相反极性的载流子之间的散射可以使双方动量的弛豫，使迁移率下降。05只考虑载流子散射作用的载流子迁移率：01强电场作用下的载流子散射02弱电场下，μ为常数；03强电场下，μ随电场增加而减小04强电场下载流子漂移速度偏离弱场规律，05主要有两种表现：06速度饱和效应07负微分迁移率现象迁移率与外场的关系01为电子与晶格处于热平衡时的迁移率，μ为热电子的迁移率，u为格波传播的速度，02漂移速度的表示弱电场下：Vd=uE01强电场下，以声学声子交换能量时：02更强的电场下，以光学声子交换能量时：03速度饱和效应的物理解释：当电场足够强时，电子在单位时间内能量高，和晶格进行能量交换时发射光学声子，这样载流子能量因发射声子而使其漂移速度趋于饱和。负微分迁移效应由于电子的不等价能谷间转移形成的。热电子有主能谷跃迁到能量较高的自能谷，子能谷的迁移率较低，如果迁移电子数量较多，平均的漂移速度会降低。越靠近表面，影响越大，对电子影响大于空穴；表面散射：各种与表面相关联的因素对载流子迁移率的附加影响；表面散射及表面迁移率第二节载流子密度和电阻率材料电阻率和器件特性01载流子数量统计和来源02载流子密度的决定因素03禁带窄化04由上式可知，ρ与掺杂浓度密切相关，可作为半导体纯度的反映；材料电阻率与器件击穿电压STEP01STEP02功率器件的击穿电压主要决定于本底材料电阻率。功率器件的击穿是指承受反向偏压的pn结的雪崩击穿。雪崩击穿：高电压击穿；条件：足够高U和适当的WK器件穿通若pn结轻参杂层设计的不够宽，以至雪崩击穿尚未发生而空