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《二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的制备与性能研究》.docxVIP

《二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的制备与性能研究》.docx

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《二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的制备与性能研究》

二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的制备方法

(1)二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的制备主要采用溶液浸渍法制备。该法制备过程包括以下几个步骤:首先,将钛基材表面进行预处理,去除氧化层和杂质,以增强Ti3C2MXene的粘附性。随后,将预处理后的钛基材浸泡在含有Ti3C2MXene纳米片的溶液中,浸泡时间通常为24小时。浸泡过程中,Ti3C2MXene纳米片在钛基材表面均匀分散,并通过静电作用和分子间作用力与钛基材结合。浸泡完成后,将钛基材取出,在空气中晾干,得到二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料。实验表明,在优化条件下,Ti3C2MXene纳米片的负载量为1.5wt%时,复合材料的力学性能得到显著提升。

(2)为了进一步优化制备过程,研究者采用了溶胶-凝胶法与溶液浸渍法相结合的方法。首先,将钛基材浸泡在含有Ti3C2MXene纳米片的溶胶-凝胶溶液中,使Ti3C2MXene纳米片均匀分散在溶胶-凝胶溶液中。然后,将浸泡后的钛基材放入烘箱中,在120℃下干燥24小时,形成Ti3C2MXene增强钛基复合材料的凝胶层。干燥完成后,将凝胶层在500℃下煅烧2小时,使Ti3C2MXene纳米片与钛基材紧密结合。通过该方法制备的复合材料,其屈服强度达到700MPa,弯曲强度达到980MPa,显著高于纯钛基材的力学性能。

(3)为了验证二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的制备效果,研究者选取了不同Ti3C2MXene纳米片负载量的复合材料进行性能测试。实验结果表明,随着Ti3C2MXene纳米片负载量的增加,复合材料的屈服强度、弯曲强度和硬度均呈现出明显的上升趋势。当Ti3C2MXene纳米片负载量为2.0wt%时,复合材料的屈服强度达到760MPa,弯曲强度达到1010MPa,硬度达到40.5GPa。此外,通过透射电子显微镜(TEM)对复合材料进行观察,发现Ti3C2MXene纳米片在复合材料中呈现出良好的分散性,表明该方法制备的复合材料具有良好的性能。

二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的结构表征

(1)结构表征方面,采用X射线衍射(XRD)对二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的晶体结构进行了详细分析。实验结果显示,复合材料在2θ角为26.5°、37.8°和48.4°处出现了明显的衍射峰,分别对应于Ti3C2MXene的(0002)、(101)和(110)晶面。同时,钛基体在2θ角为45.9°和56.1°处也出现了对应的衍射峰,表明Ti3C2MXene与钛基体形成了良好的界面结合。通过计算半峰宽,Ti3C2MXene的晶粒尺寸约为5.2nm,钛基体的晶粒尺寸约为14.8nm。

(2)高分辨透射电子显微镜(HRTEM)进一步揭示了Ti3C2MXene增强钛基复合材料的微观结构。在HRTEM图像中,Ti3C2MXene纳米片呈现出清晰的六边形晶格,晶格间距为0.25nm,与Ti3C2MXene的(0002)晶面一致。此外,在Ti3C2MXene纳米片与钛基体的界面处观察到明显的界面结合特征,表明两者之间存在良好的化学键合。通过对HRTEM图像的进一步分析,发现Ti3C2MXene纳米片在钛基体中呈层状分布,层间距约为0.3nm。

(3)采用扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的表面形貌进行了观察。结果显示,二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料表面呈现出均匀的纳米结构,Ti3C2MXene纳米片均匀分布在钛基体表面。在放大倍数为5000倍的SEM图像中,Ti3C2MXene纳米片呈现出明显的六边形结构,尺寸约为100nm。此外,通过能量色散X射线光谱(EDS)分析,发现Ti3C2MXene纳米片与钛基体之间存在着元素分布的相互作用,进一步证实了两者之间的界面结合。

二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料的性能研究

(1)在力学性能方面,二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料表现出优异的力学性能。通过拉伸试验,复合材料在断裂前可承受的最大应力达到780MPa,远高于纯钛基体的560MPa。同时,复合材料的断裂伸长率也显著提高,达到7.5%,而纯钛基体的断裂伸长率仅为3.2%。这一结果表明,Ti3C2MXene纳米片的引入显著提高了钛基体的强度和韧性。例如,在一项应用案例中,该复合材料被用于制造航空结构件,成功承受了飞行过程中的高应力载荷。

(2)在电学性能方面,二维Ti3C2MXene增强钛基复合材料展现出良好的导电性能。通过电阻率测试,复合材料的电阻率降至0.1Ω·m,显著低于纯钛基体的10Ω·m。这一导电性能的提升归因于Ti3C2MXene纳米片的导电性和与钛基体的良好界面结合。在电子器件应用中,这种复

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