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半导体器件模型与仿真考核试卷

考生姓名：答题日期：得分：判卷人：

本次考核旨在评估学生对半导体器件模型与仿真的理解和掌握程度，检验其在实际应用中的分析和解决问题的能力。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件中，n型半导体主要是由（）杂质原子掺杂形成的。

A.硼（B）B.磷（P）C.铟（In）D.铅（Pb）

2.P-N结在没有外加电压时，内部电场方向为（）。

A.从P区指向N区B.从N区指向P区C.不存在电场D.无法确定

3.二极管正向导通时，其伏安特性曲线呈现（）。

A.直线B.曲线C.斜线D.抛物线

4.晶体管的工作状态分为三个区，其中放大区对应的是（）。

A.饱和区B.截止区C.放大区D.过渡区

5.MOSFET的漏源电压VDS等于零时的输出特性曲线称为（）。

A.输入特性曲线B.空载特性曲线C.输出特性曲线D.短路特性曲线

6.集成电路中的CMOS逻辑门，其输入端通常有（）。

A.一个B.两个C.三个D.四个

7.在CMOS反相器中，输出为高电平时，晶体管（）。

A.导通B.截止C.处于饱和区D.处于截止区

8.半导体器件的噪声主要来源于（）。

A.杂质原子B.杂质浓度C.材料缺陷D.温度

9.饱和电导率是（）的一个参数。

A.二极管B.晶体管C.MOSFETD.电阻

10.在MOSFET中，栅极电压VGS小于阈值电压Vth时，器件处于（）状态。

A.导通B.截止C.饱和D.饱和区

11.晶体管的输入电阻（）。

A.很小B.很大C.不确定D.无法确定

12.在晶体管放大电路中，基极电流IB的取值范围是（）。

A.0IBIcB.IB=IcC.IB0D.IB=0

13.集成电路的功耗主要取决于（）。

A.工作频率B.电源电压C.输入阻抗D.输出阻抗

14.晶体管的跨导（）。

A.与IB成正比B.与IC成正比C.与VCE成正比D.与VBE成正比

15.半导体器件的频率响应主要取决于（）。

A.材料特性B.结构设计C.工作条件D.驱动电路

16.在晶体管放大电路中，为了提高输入电阻，通常采用（）。

A.共射极电路B.共基极电路C.共集电极电路D.三极管电路

17.MOSFET的栅极电容（）。

A.很大B.很小C.不确定D.无法确定

18.晶体管放大电路中的偏置电路（）。

A.仅起到偏置作用B.仅起到稳定作用C.既能偏置也能稳定D.无法确定

19.在晶体管放大电路中，为了提高输出电阻，通常采用（）。

A.共射极电路B.共基极电路C.共集电极电路D.三极管电路

20.半导体器件的开关特性主要取决于（）。

A.杂质浓度B.材料特性C.结构设计D.工作条件

21.在晶体管放大电路中，为了提高电压放大倍数，通常采用（）。

A.共射极电路B.共基极电路C.共集电极电路D.三极管电路

22.MOSFET的漏极电流ID与漏源电压VDS的关系（）。

A.线性关系B.非线性关系C.无关D.无法确定

23.在晶体管放大电路中，为了提高电流放大倍数，通常采用（）。

A.共射极电路B.共基极电路C.共集电极电路D.三极管电路

24.半导体器件的频率响应受（）影响。

A.材料特性B.结构设计C.工作条件D.以上都是

25.在晶体管放大电路中，为了提高功率放大倍数，通常采用（）。

A.共射极电路B.共基极电路C.共集电极电路D.三极管电路

26.MOSFET的栅极电压VGS与漏源电压VDS的关系（）。

A.线性关系B.非线性关系C.无关D.无法确定

27.在晶体管放大电路中，为了提