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IDDQ测试原理与方法--第1页

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电流测试

1电流测试简介

功能测试是基于逻辑电平的故障检测，逻辑电平值通过测量原始输出的电压来

确定，因此功能测试实际上是电压测试。电压测试对于检测固定型故障特别是双极

型工艺中的固定型故障是有效的，但对于检测CMOS工艺中的其他类型故障则显得

有些不足，而这些故障类型在CMOS电路测试中是常见的对于较大电路，电压测试

由于测试图形的生成相当复杂且较长，因而电流测试方法被提出来电流测试的测试

集相当短，这种测试方式对于固定型故障也有效。

CMOS电路具有低功耗的优点，静态条件下由泄漏电流引起的功耗可以忽略，仅

在转换期间电路从电源消耗较大的电流。电源电压用VDD表示，Q代表静态

（quiescent)，则IDDQ可用来表示MOS电路静态时从电源获取的电流，对此电

流的测试称为IDDQ测试，这是一种应用前景广泛的测试。

IDDQ测试概念的提出时间并不很长，但自半导体器件问世以来，基于电流的测

量一直是测试元器件的一种方法，这种方法即所谓的IDDQ测试，用在常见的短接故障检测中。自从

Wanlsaa于1961年提出CMOS概念,1968年RCA制造出第一

块CMOSIC和1974年制造出第一块MOS微处理器以来，科研人员一直研究CMOS电路的测试，而静态电

流测试则作为一项主要的参数测量1975年Nelson提出了IDDQ测试的概念和报告，1981年M.WLevi

首次发表了关于VLSICMOS的测试论文，这就是IDDQ测试研究的开端。其后，IDDQ测试用来检测分析

各种DM0S缺陷，包括桥接故障和固定型故障1988年W.Maly首次发表了关于电流测试的论

文,Levi,Malaiya,C.Crapuchettes,M.Patyra,A.Welbers和S.Roy等也率先进行了片内电流测试的研

究开发工作，这些研究奠定了IDDQ测试的基础、1981年Philipssemiconductor开始在SRAM产品测

试中采用片内IDDQ检测单元，其后许多公司把片内IDDQ检测单元用在ASIC产品中，但早期的IDDQ

测试基本上只为政府、军工资助的部门或项目所应用。

直到20世纪80年代后期，半导体厂商认识到IDDQ测试是检测芯片物理缺陷

的有效方法，IDDQ测试才被普遍应用,CAD工具也开始集成此项功能。目前，

IDDQ测试也逐渐与其他DFT结构，例如扫描路径测试、内建自测试、存储器测试等，结合在一起

应用。20世纪80年代，电流测量基本上是基于片外测量电路的，

80年代末片上电流传感器的理论和设计方法得以提出，随后这方面所开展的理论和方法研究纷纷

出现，IEEETechnicalCommitteeonTestTechnology于1994年成立一个称做

QTAG(QualityTestActionGroup)的技术组织，其任务是研究片上电流传感器的标准化问题，但该

组织得出了电流传感器不经济的结论，因此，1996年结束标准化研究工作，目前电流传感器的研

究主要针对高速片外传感器。

IDDQ测试是源于物理缺陷的测试，也是可靠性测试的一部分1996年SRC

(SemiconductorResearchCorporation）认定IDDQ测试是20世纪90年代到

21世纪主要的测试方法之一。IDDQ测试已成为IC测试和CAD工具中一个重要内

容，许多Verilog/HDL模拟工具包含IDDQ测试生成和故障覆盖率分析的功能。

IDDQ测试引起重视主要是测试成本非常低和能从根本上找出电路的问题（缺陷）

所在。例如，在电