《ZnO光电子学应用》课件.pptVIP

*******************ZnO光电子学应用欢迎参加关于氧化锌（ZnO）在光电子学领域应用的深入探讨。本次演讲将全面介绍ZnO材料的独特性质及其在各种光电器件中的创新应用。ZnO材料的性质宽禁带半导体室温下禁带宽度约3.37eV，适合紫外光电器件。高激子结合能60meV，有利于室温下的激子发光。透明导电性可见光区域高透明度，同时具有良好的电导率。压电性能具有显著的压电效应，可用于传感器和能量收集装置。ZnO材料生长技术1气相外延法利用气态前驱体在高温下沉积ZnO薄膜或纳米结构。2水热法在水溶液中低温合成ZnO纳米结构，如纳米棒和纳米线。3脉冲激光沉积使用高能激光束蒸发ZnO靶材，在基底上沉积薄膜。4溶胶-凝胶法通过液相化学反应制备ZnO薄膜和纳米颗粒。ZnO薄膜制备方法磁控溅射利用等离子体轰击ZnO靶材，在基底上沉积均匀薄膜。适合大面积沉积。原子层沉积通过交替脉冲前驱体气体，实现原子级精确控制的薄膜生长。电化学沉积在导电基底上通过电化学反应沉积ZnO薄膜。可控制薄膜厚度和形貌。ZnO基发光二极管高效紫外光源利用ZnO宽禁带特性，实现高效紫外发光。环保友好无毒无害，替代含汞紫外光源的理想选择。寿命长ZnO材料稳定性好，使用寿命长。成本低原材料丰富，制备工艺简单，生产成本低。ZnO基发光二极管原理电子注入电子从负极注入ZnO导带。空穴注入空穴从正极注入ZnO价带。载流子复合电子与空穴在有源区复合。光子发射复合过程释放能量，以光子形式辐射。ZnO基发光二极管结构1p型半导体层通常使用GaN或NiO等p型材料。2ZnO有源层发光的核心区域，可掺杂以调节发光波长。3n型ZnO层提供电子，通常为本征n型或掺杂ZnO。4衬底常用蓝宝石、硅或ZnO本征衬底。ZnO基发光二极管性能365nm发光波长典型紫外发光波长，可通过掺杂调节。20%外量子效率目前最高效率，仍有提升空间。10000h使用寿命连续工作时间，稳定性良好。100mW输出功率单个器件最大输出功率。ZnO基发光二极管应用消毒杀菌紫外光可有效杀灭细菌病毒，用于水处理和空气净化。防伪验钞紫外光下特殊荧光材料发光，用于鉴别真伪钞票。生物医学用于荧光显微镜和生物传感器，提高检测灵敏度。ZnO基激光二极管1高增益介质ZnO具有高激子结合能，有利于室温激射。2纳米结构优势ZnO纳米线和纳米带可作为天然谐振腔。3紫外激光源可实现紫外波段的相干光输出。4集成潜力可与硅基电路集成，推动光电子集成。ZnO基激光二极管原理1载流子注入电子和空穴分别注入导带和价带。2粒子数反转高能级粒子数超过低能级，形成粒子数反转。3受激辐射光子诱导电子跃迁，产生相同相位光子。4光放大通过反复反射和放大，形成相干激光输出。ZnO基激光二极管结构1p型电极通常使用金属如镍或金。2p型包层常用GaN或NiO等宽禁带p型材料。3ZnO有源层激光发射的核心区域。4n型ZnO层提供电子的n型掺杂ZnO层。5衬底常用蓝宝石或ZnO晶体衬底。ZnO基激光二极管性能激射阈值目前室温下电流密度阈值约为1kA/cm2。持续优化结构和材料质量可进一步降低阈值。输出功率单个器件最高输出功率可达数十毫瓦。通过改进热管理和提高注入效率，有望实现更高功率输出。光谱特性典型发射波长在375nm附近，线宽小于1nm。可通过调节ZnO组分和应力状态微调波长。ZnO基激光二极管应用ZnO激光器在高密度光存储、激光显示、光刻和光谱分析等领域具有广阔应用前景。ZnO基太阳能电池高透明度ZnO在可见光区域高度透明，有利于光吸收。电子传输层ZnO作为优良的电子传输材料，提高电池效率。纳米结构ZnO纳米棒和纳米线增加界面面积，提高光电转换效率。低成本ZnO原料丰富，制备工艺简单，降低太阳能电池成本。ZnO基太阳能电池原理光子吸收入射光子被吸收层吸收。电子-空穴对生成光子能量激发产生电子-空穴对。载流子分离内建电场将电子和空穴分离。载流子收集电子通过ZnO层被收集到电极。ZnO基太阳能电池结构1透明导电氧化物通常为ITO或掺杂ZnO。2ZnO电子传输层可为平面薄膜或纳米结构。3光吸收层常用钙钛矿、量子点或有机材料。4空穴传输层如Spiro-OMeTAD或PEDOT:PSS。5金属背电极通常使用金或银。ZnO基太阳能电池性能25%光电转换效率实验室最高效率，商业化产品效率约15-20%。0