模拟电子学基础课件第三章.ppt

3.3.2二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示锗二极管2AP15的V-I特性硅二极管2CP10的V-I特性第37页,共65页，星期六，2024年，5月锗二极管2AP15的V-I特性硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右；当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或门坎电压。当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。1.正向特性锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右。硅二极管的正向导通电压为0.7V左右；锗二极管的正向导通电压为0.2V左右。第38页,共65页，星期六，2024年，5月锗二极管2AP15的V-I特性当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。2.反向特性当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：一般硅二极管的反向电流比锗管小得多3.反向击穿特性(略)第39页,共65页，星期六，2024年，5月3.3.3二极管的主要参数1.最大整流电流IF指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。2.反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM反向击穿电压VBR：二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。最大反向工作电压VRM：为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。3.反向电流IR在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。第40页,共65页，星期六，2024年，5月4.极间电容Cd(CB、CD)在高频或开关状态下，必须考虑极间电容的影响。5.反向恢复时间TRR由于二极管PN结电容效应的存在，当其外加偏置电压极性反转时，其工作状态不会在瞬间完成。特别是从正向偏置变成反向偏置时，在反转瞬间二极管电流由正向变为反向，会出现瞬间较大的反向电流，如图3.3.4所示。图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，TRR为反向恢复时间。反向恢复时间存在的主要原因是扩散电容CD的影响。CD↓TRR↓第41页,共65页，星期六，2024年，5月3.4二极管基本电路及其分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法第42页,共65页，星期六，2024年，5月3.4.1简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V－I特性曲线。第43页,共65页，星期六，2024年，5月例3.4.1电路如图所示，已知二极管的V－I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。解：由电路的KVL方程，可得即这是一条斜率为－1/R的直线，称为负载线Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点第44页,共65页，星期六，2024年，5月3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效模型。(1)理想模型(a)V-I特性(b)代表符号(c)正向偏置时的电路模型(d)反向偏置时的电路模型正向偏置时二极管上压降为0V反向偏置时二极管上通过电流认为为0A第45页,共65页，星期六，2024年，5月(a)V-I特性(b)电路模型(a)V-I特性(b)电路模型(2)恒压降模型(3)折线模型基本思想为二极管导通后，其上压降恒定(二极管电流iD必须近似≧1mA)。基本思想为二极管导通后，其上压降随iD的增加而增加，但呈线性变化。第46页,共65页，星期六，2024年，5月vs=0时,Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。vs=Vmsin?t时(VmVDD),工作点将在Q′和Q〞间移动。(4)小信号模型在交流小信号作用下，将Q点附近小范围内的V－I特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。第47页,共65页，星期六，2024年，5月由得Q点处的微变电导(切线斜率)即在常温下(T=300K)：过Q点的切线可以等效成一个微变电阻rd:(a)V-I特性(b)电路模型