半导体器件物理教学课件分享2.pptVIP

**********************半导体器件物理教学课件免费分享本课件旨在为学习半导体器件物理的同学提供一个系统性的学习资源，涵盖半导体基础知识、PN结、场效应管、功率器件、微波器件和电荷耦合器件等内容。课件目标知识目标帮助学生理解半导体器件的基本原理和工作机制，掌握相关理论知识和计算方法。能力目标培养学生分析问题和解决问题的能力，能够独立完成半导体器件的设计和应用。半导体基础知识回顾原子结构回顾原子结构，了解电子能级和电子排布。化学键讲解离子键、共价键和金属键，以及它们在半导体材料中的作用。晶体结构介绍半导体材料的晶体结构，如硅和锗的晶格结构。晶体结构概述1晶格原子在空间按一定规律排列形成的周期性结构。2晶胞晶格中重复出现的最小结构单元。3晶格常数晶胞的边长。4晶格类型简单立方、体心立方、面心立方、六方密堆积等。能带理论简介1能带在固体中，电子能级不再是孤立的，而是形成连续的能带。2导带电子可以自由移动的能带。3价带电子被束缚在原子核附近的能带。4禁带导带和价带之间的能量间隔，电子不能存在的能量区域。载流子浓度统计n电子浓度自由电子在导带中的浓度，影响半导体的导电能力。p空穴浓度价带中缺少电子形成的空穴，也是一种载流子。PN结工作原理扩散电流当PN结形成时，载流子会从高浓度区域扩散到低浓度区域，产生扩散电流。漂移电流由于扩散电流，PN结内形成电场，使载流子受到电场力作用，产生漂移电流。PN结电流-电压特性1正向偏置外加电压与PN结内电场方向一致，电流增大。2反向偏置外加电压与PN结内电场方向相反，电流很小，但存在微弱的漏电流。3击穿电压反向电压超过击穿电压，PN结将被击穿，电流急剧增大。二极管基本参数正向电压降二极管导通时的电压降，通常为0.7V左右。反向电流二极管反向偏置时的微弱电流。击穿电压二极管反向偏置时，发生击穿的电压值。二极管应用电路金属-半导体接触欧姆接触金属与半导体之间形成的低电阻接触，载流子可以自由通过。肖特基接触金属与半导体之间形成的势垒，载流子通过势垒需要克服能量势垒。肖特基二极管结构由金属和半导体形成的PN结，具有较低的正向电压降和更快的开关速度。肖特基二极管特性优势较低的正向电压降，更快的开关速度，更高的效率。应用用于高频电路、开关电源、无线通信等。场效应管构造1栅极控制电流流动的电极，类似于二极管的控制栅。2源极电流流入场效应管的电极。3漏极电流流出场效应管的电极。4衬底场效应管的基底材料，通常为硅。场效应管工作原理1增强型栅极电压控制沟道形成，电流由栅极电压控制。2耗尽型沟道已经存在，栅极电压控制沟道宽度，从而控制电流。MOSFET参数分析1阈值电压栅极电压达到阈值电压时，沟道开始形成，电流开始流动。2跨导栅极电压变化引起漏极电流变化的比值，反映场效应管的放大能力。3输出电阻漏极电流变化引起的漏极电压变化的比值，反映场效应管的输出特性。MOSFET静态特性Ids漏极电流漏极电流随栅极电压和漏极电压的变化关系。Vgs栅极电压栅极电压控制漏极电流的大小。Vds漏极电压漏极电压影响漏极电流的流动。MOSFET动态特性开关速度场效应管从关断状态到导通状态，或者从导通状态到关断状态的时间。电流增益输入信号电流变化引起的输出电流变化的比值。MOSFET应用电路偏置电路设计电阻偏置利用电阻分压产生稳定的栅极电压，控制漏极电流。电容耦合利用电容耦合实现信号的输入和输出，避免直流信号的干扰。功率器件介绍功率二极管用于高功率应用的二极管，具有更高的电流承受能力和电压承受能力。功率晶体管用于高功率应用的晶体管，具有更高的电流放大能力和功率处理能力。IGBT绝缘栅双极型晶体管，兼具MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的高电流能力。功率二极管工作原理正向导通正向偏置时，二极管导通，电流通过二极管。反向阻断反向偏置时，二极管阻断，电流无法通过二极管。功率晶体管特性电流放大倍数功率晶体管的电流放大倍数较高，可以放大较大的电流。功率承受能力功率晶体管可以承受较高的功率，适合用于高功率应用。IGBT结构与工作1结构IGBT由MOSFET的栅极控制和双极型晶体管的电流放大组成。2工作原理栅极电压控制MOSFET的导通，从而控制双极型晶体管的电流放大。IGBT模型与特性1开关速度IGBT的开关速度较快，适合用于高速开关应用。2电流承受能力IGBT可以承受较大