低损耗沟槽栅碳化硅MOSFET器件研究.docxVIP

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2025-02-13 发布于北京
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低损耗沟槽栅碳化硅MOSFET器件研究

一、引言

随着电力电子技术的快速发展，碳化硅（SiC）材料因其优越的物理和电学性能在电力电子器件领域获得了广泛应用。尤其是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，在高压、高温、高频率等应用场景中表现出显著优势。然而，传统的MOSFET器件在沟槽栅结构上存在一定损耗，这限制了其性能的进一步提升。因此，研究低损耗沟槽栅碳化硅MOSFET器件具有重要的理论意义和实际应用价值。

二、碳化硅MOSFET器件概述

碳化硅MOSFET器件以其高击穿电压、低导通电阻、高开关速度等优点，在电力电子系统中被广泛应用。其工作原理主要是通过控制栅极电压来调节源漏