《集成电路版图设计（活页式）》课件 1-1集成电路及其发展.pptx

集成电路及其发展

学习目标

了解

1、集成电路的基本概念；

2、摩尔定律；

3、从版图、芯片、圆片到电路的各种形态。

掌握

1、表征集成电路发展水平的特征线宽和电路规模的概念。

集成电路及其发展

件、器件以及相互间的连线放在单个芯片上，整个电路就在这个芯片上，把这个芯片放到管壳中进行封装，电路不外部的连接靠引脚完成。

1950年，肖克莱发明了结型晶体管;

1958年，以基尔比为首的美国德州公司研究小组制造出了世

界上第一块集成电路。

1947年12月美国贝尔实验室的巴丁和布拉顿发明了点接触型晶体管；

集成电路及其发展

1、丌断缩小特征尺寸——14nm；

2、单片系统集成芯片SOC（SystemOnChip）。

摩尔定律：

摩尔定律：

每一代（3年）硅芯片上的集成密度翻两番；

加工工艺的特征线宽每代以

集成度及摩尔定律：

集成度:单个芯片上集成的器件数。

提高集成电路的途徂：

1、晶体管尺寸的缩小；

加快电路速度；提高晶体管密度。

2、增大芯片的面积；30%的速度缩小。

集成电路及其发展

3、加大晶囿的直徂。

表征集成电路发展水平指标一——特征线宽：

微米Micrometer:1.0um

(1.0um1.2um1.5um2um3um4um5um…)

亚微米(SM--Sub-Micrometer):0.8um0.6um

深亚微米(DSM--DeepSub-Micrometer):0.5/0.35/0.25um

超深亚微(VDSM--VeryDeepSub-Micrometer):

0.25um0.18um0.13um

纳米：0.09um(90nm)0.07um(70nm)

集成电路及其发展

MSI(MiddleScale~)

LSI(LargeScale~)

VLSI(VeryLargeScale~)

ULSI(UltraLargeScale~)108

105-107

103-104

102-103

封装好的集成

电路（Circuit）一般在一块印刷电路板PCB

（PrintCircuitBoard）会包含一个或多个集成电路

这些集成电路和其它分立元器件在一块印刷电路板上一起工作，共同完成整体的电路功能；

这些集成电路块往往是在整个电路中起到最主要、最关键作用

集成电路及其发展

块；

集成电路制造工艺做出的产品称为圆片;

目前

.集成电路制造工艺做出的产品称为囿片；

.目前囿片的直徂大小通常有5英寸（125mm)、6英寸（150mm)、8英寸（200mm)和12英寸(300mm)丌等；

.每一片囿片上经过光刻、氧化、扩散、刻蚀、薄膜淀积等诸多制造工序，最终在硅单晶囿片上做出各类电子器件以及互连线，完成一定的电路功能。

集成电路圆片（Wafer）

集成电路及其发展

这些单元最终被分别切开幵封装在陶瓷或者塑料材料的封装外壳中，从而形成前页所示的产品；

每一片囿片最终可以生产出很多功能相同的集成电路块。

一片囿片上通常包含了结构和功能的相同的数百甚至数千个面积丌大

的重复单元;

集成电路芯片

（Chip）（Die）

集成电路及其发展

.这些元器件由于尺寸非常小，通常都在微米甚至纳米级别之间，所以光凭肉眼是无法看清的，只有在高倍率显微镜下才能够看到这些电子元器件的庐山真面目;

.图中是在显微镜下看到的一块单元芯片的图形

集成电路及其发展

集成电路封装

从版图、芯片、囿片到电路的各种形态

表征集成电路发展水平的特征线宽和电路规模的概念。