1.三极管的识别与检测.pptx

三极管的识别与检测任务一

三极管全称为半导体三极管,又称双极型晶体管、晶体三极管或晶体管。它是最基本和最常用的半导体元器件之一,具有电流放大作用,是一种控制型器件。三极管是电子电路的核心元器件,可与其他辅助元器件一起组成各种放大电路,这些放大电路是构成复杂电路的基础。本任务详细讲解三极管的结构与工作原理,任务实施中对三极管进行检测。任务描述

一、三极管的结构及分类三极管由两个PN结、三个杂质半导体区域组成,根据区域排列次序可分为NPN型和PNP型两大类,其内部结构和电路符号如图2-2所示。

一、三极管的结构及分类无论是NPN型还是PNP型三极管,都有三个区(基区、发射区和集电区),从这三个区分别引出基极(b)、发射极(e)和集电极(c)三个电极。在三个区的两个交界面形成两个PN结,分别为发射区与基区之间的发射结和集电区与基区之间的集电结。三极管三个区的作用不同,因而在制作时每个区的掺杂浓度、面积及厚度均不同。基区很薄,掺杂浓度低,一般仅有1μm至几十微米;发射区掺杂浓度高,因而多数载流子浓度也很高;集电结截面积要大于发射结截面积。三极管的这种内部结构特点,是三极管能够起到电流放大作用的内部条件。

一、三极管的结构及分类从三极管的电路符号可以判断管型,其发射极的箭头方向不同,箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向。三极管种类很多,根据基片的材料不同可分为锗管和硅管两大类,根据其工作频率特性分为高频管和低频管,根据功率大小分为大功率管、中功率管和小功率管,根据其工作状态又可分为放大管和开关管等。实际应用中采用NPN型三极管较多,下面以NPN型三极管为例加以讨论,所得结论对于PNP型三极管同样适用,只是在使用时电源连接方式不同。

二、三极管的放大作用1.三极管实现放大作用的外部条件三极管实现放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。对于NPN型管,从电位的角度来看,三个电极间的电位关系为VCVBVE;而对于PNP型管,极性正好相反,即VEVBVC。2.三极管内部载流子的作用及放大原理NPN型三极管内部载流子运动及外部电流分配如图2-3所示。

二、三极管的放大作用

二、三极管的放大作用内部载流子的作用主要有以下几个过程。1)发射区向基区扩散载流子由于发射结处于正偏,发射区的多子(自由电子)不断扩散到基区,形成发射结扩散电流IEN,其方向与扩散方向相反;基区中的多子(空穴)也要扩散到发射区,形成空穴电流IEP,方向与IEN相同。由于基区浓度远小于发射区,IEP很小。同时扩散出去的电子又不断从电源补充,形成发射极电流IE。可得IE=IEN+IEP。

二、三极管的放大作用2)载流子在基区扩散和复合由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区的空穴复合,形成较小的基极复合电流IBN,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。3)集电区收集从发射区扩散过来的电子由于集电结反偏,强大的内电场可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成集电极电流中受发射结控制的电流ICN。显然ICN=IEN-IBN。

二、三极管的放大作用同时基区自身的少子和集电区的少子也会在反偏电压作用下产生漂移运动,形成集电结反向饱和电流ICBO。它的大小取决于基区和集电区少子的浓度,受温度影响较大,数值很小。ICN和ICBO一起构成集电极电流IC,即IC=ICN+ICBO,这说明在三极管中发射极电流IE等于集电极电流IC和基极电流IB之和。对于PNP型管,三个电极产生的电流方向正好和NPN型管相反,其内部载流子的运动情况与之类似。

二、三极管的放大作用?

二、三极管的放大作用一般β值较大,基极电流IB有一微小变化,就能引起集电极电流IC产生较大的变化,这就是三极管放大作用的实质。通过改变电流IB的大小,达到控制IC的目的,即IC=βIB。因此,三极管是一种电流控制电流型器件。由于三极管有三个电极,在放大电路中有三种连接方式———共基极、共发射极和共集电极,即分别把基极、发射极和集电极作为输入和输出的公共端。但无论哪种接法,要使三极管有放大作用,都要保证三极管能够满足放大的外部条件,即发射结正偏,集电结反偏。

三、三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线,也称为伏安特性曲线。它能直观全面地反映三极管的性能,是分析放大电路的依据。由于三极管在不同连接方式时具有不同的端电压和电流,它们的特性曲线各不相同。共集电极与共发射极的特性曲线相似,下面以NPN型管为例,讨论常用的共发射极接法时的特性曲线。

三、三极管的特性曲线1.三极管的输入特性曲线三极管的输入特性曲线是指集-射极