模拟集成电路设计 课件 第3章 单级放大器.pptx

第3章单级放大器

3.1基本电流镜

3.2共源极放大器

3.3共漏极放大器(源跟随器)

3.4共栅极放大器

3.5共源共栅电流镜

3.6共源共栅放大器

3.7放大器的频率特性

第3章单级放大器

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◆频率特性(单位增益带宽)

◆动态响应速度(Slewrate,Settlingtime)

◆功耗、电源电压(低功耗、低电压供电)

◆输入电压范围

◆输出电压摆幅(无失真放大范围)

◆输入/输出电阻

◆信噪比(S/N)

以上特性大部分互相制约，要根据实际应用场合进行折衷选择或优化设计。

单级放大器的特性

◆直流或低频增益(DCGain)

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单级放大器的分析流程

电路结构及工作原理，直流偏置

大信号特性分析，输入电压范围，输出电压摆幅

小信号特性分析，电压放大倍数，输入/输出电阻

频率特性分析，带宽，相位裕度，动态特性

其它特性分析，优缺点分析

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◆如果M₁与M₂均工作在饱和区，Iout与IREF的比值由M₁与M₂的尺寸比率决定，不受工艺误差、电源电压和温度(PVT)变化的影响(理想情况)

◆M₁始终工作在饱和区(由于Vds=Vgs₁,所以VdslVgs₁-Vth,或者，由于

Vga=0,VgaVt),同时Vds₁(Vds₁=Vgs₁=Vgs)为M₁和M₂提供直流偏置电压。

·IREF

(饱和区，理想情况)

W₂/L₂IREF

Vgs₁=Vgs

(b)

W₁/L₁

VDD

IoUT

IoUT

M₁

M₂

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由于一般情况下Vds₂≠Vds₁,输出电流出现偏差。且λ愈大，电流误差愈

大。因此为了提高电流源的精度，通常使用L尺寸较大的管子形成电流镜

(λ×1/L)。为了进一步减小沟道长度调制的影响，可采用后面介绍的共源共栅电流镜。

基本电流镜的误差(沟道长度调制引起)

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◆M₁与M₂的Vh不同(例如栅氧化层的厚度不同、有源区扩散浓度不同)

◆M₁与M₂的尺寸误差(制造工艺引起的几何尺寸失配)

提高电流源精度的其它措施：

◆在电流镜的版图设计中，M₁与M₂的结构应尽可能保持对称且紧靠在一起配置，以保证较小的Vth偏差。

◆尽可能将管子的W和L取大一些，以减小尺寸失配误差的影响。

◆在CMOS制造过程中存在源/漏区的横向扩散现象，即Lerr=Ldrawn-2Lp,由

于源/漏区的横向扩散长度Lp是与工艺相关的某一常数，与栅长设计值Ldrawn无关，因此，如果将Ldrawn加倍，但Lerf并不能相应加倍。为了消除这种误差，

电流镜中的所有CMOS管通常都采用相同的栅长L,而输出电流的调节只能

通过调节管子的栅宽W来实现。

基本电流镜的误差(其它原因引起)

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多路输出电流镜

8

多路输出电流镜(输出电流导向)

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r1小信号交流等效电路

基本电流镜在放大器中的应用(具有很大的小信号电阻rou):

1)提供恒定的直流偏置电流；

2)作为放大器的有源负载使用，具有很大的小信号电阻。

基本电流镜的输出电阻(小信号特性)

VDD

IREF

M₁

W₁/L₁

IoUT

rout

M₂

W₂/L₂

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基本电流镜的小信号等效电路(NMOS)

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3.2共源极放大器

无源电阻负载

源极端交流接地(输入、输出信号的公共端)

无源电阻负载

Ids

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饱和区(VTHVinVout+VTH)

V0

t

线性区(VinVout+VTH)

Vin

Vi静态偏置电压Vino不同，放大管工作在不

同的区域，作为放大器应保证工作在饱和区。

Q

12345

共源极放大器的输入-输出特性(大信号特性)

截止区(VinVTH)

Vout

个

5

4

3

2

1

0

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电压放大的原理：输入电压Vin小的变化引起

输出电压Vout大的变化。

Vin

小信号电压放大原理(在饱和区，电阻负载)

V。

t

Id

个

loadline

→Vds

Vdd

0

t

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共源极放大器的交流小信号特性(饱和区)

rout

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无源电阻负载(直流电阻与交流电阻相同)的缺点：

·电压放大倍数A,=-gm(Rp//ras)

为了增大A,→增大Rp→限制输出电压的摆幅(放大管进入线性区)·CMOS工艺条件下制作大电阻(数百KQ)会占用较大芯片面积；

·增加静态(直流)功耗(Ias²×Rp)

无源电阻负载的优点(与有源电阻负载相比):

寄生电容和噪声电压较小，适