2025年万里学院-数字电子技术基础-第六章习题及参考答案.pdfVIP

太上有立德，其次有立功，其次有立言，虽久不废，此谓不朽。——《左传》

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第六章习题

一、选择题1．PROM和PAL的结构是。

A.PROM的与阵列固定，不可编程B.PROM与阵列、或阵列均不可编程

C.PAL与阵列、或阵列均可编程D.PAL的与阵列可编程2．PAL是指。

A.可编程逻辑阵列B.可编程阵列逻辑C.通用阵列逻辑D.只读存储器3．当用

异步I/O输出结构的PAL设计逻辑电路时，它们相当于。

A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.存储器D.数模转换器4．PLD器件的

基本结构组成有。

A.输出电路B.或阵列C.与阵列D.输入缓冲电路

5．PLD器件的主要优点有。

A.集成密度高B.可改写C.可硬件加密D.便于仿真测试6．GAL的输出电

路是。

A.OLMCB.固定的C.只可一次编程D.可重复编程

7．PLD开发系统需要有。

A.计算机B.操作系统C.编程器D.开发软件8．只可进行一次编程的可编程

器件有。

A.PALB.GALC.PROMD.PLD9．可重复进行编程的可编程器件有。

A.PALB.GALC.PROMD.ISP-PLD10．ISP-PLD器件开发系统的组成有。

A.计算机B.编程器C.开发软件D.编程电缆11．全场可编程（与、或阵列皆

可编程）的可编程逻辑器件有。

A.PALB.GALC.PROMD.PLA

12.GAL16V8的最多输入输出端个数为。

A.8输入8输出B.10输入10输出C.16输入8输出D.16输入1输出13一

个容量为1K×8的存储器有个存储单元。

A.8B.8192C.8000D.8K

14．要构成容量为4K×8的RAM，需要片容量为256×4的RAM。

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

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A.8B.4C.2D.3215．寻址容量为16K×8的RAM需要根地址线。

A.8B.4C.14D.16KE.16

16．RAM的地址码有8位，行、列地址译码器输入端都为4个，则它们的字线加条。

位线共有

A.8B.16C.32D.25617．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存

储器的容量为。

A.8×3B.8K×8C.256×8D.256×256

18.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。

A.10行10列B.5行5列C.32行32列D.1024行1024列19．随机存取

存储器具有