半导体器件物理-6孟庆巨市公开课一等奖省赛课获奖课件.pptx

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2025-03-03 发布于云南
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半导体器件物理-6孟庆巨市公开课一等奖省赛课获奖课件.pptx

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第六章薄膜晶体管（TFT）

;主要内容;TFT发展历程;TFT发展历程;;TFT种类;TFT惯用器件结构;TFT工作原理;;TFTI-V描述;p-SiTFT电特征;2.p-SiTFF器件经典输出和转移特征曲线;3.p-SiTFF中Kink效应;4.Gate-biasStressEffect(栅偏压应力效应）;负栅压应力;5.p-SiTFFC-V特征;6.p-SiTFF改性技术;p-SiTFT制备工艺流程;2、完整底栅顶接触型结构;(a);(d);p-SiTFT制备中关键工艺技术;年;2、p-Si薄膜制备技术;（2）Si薄膜制备方法比较;;低压化学气相沉积(LPCVD:Low-PressureCVD);等离子增强化学气相沉积(PECVD:PlasmaEnhancedCVD);（3）a-Si薄膜晶化方法比较;对于不一样晶化方法在不一样晶化温度和时间下制备TFT迁移率（数据值）.;（4）p-SiTFT制备中掺杂及杂质激活;与VLSI掺杂技术相比，p-Si掺杂特点：;TFT器件经典性能参数及特点比较;TFT主要应用;第35页;柔性基底上制备超高频RFCPU芯片;基于有机TFT全打印7阶环形振荡器电路;全打印技术制备n、p沟TFT;3.敏感元件，如：气敏、光敏、PH值测定