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半导体器件积累层的电阻计算
1.在一个MOSFET器件中，积累层的厚度为10nm，载流子浓度为1x10^18cm?3，计算积累层的电阻。
2.某p型半导体材料的积累层厚度为5μm，电子迁移率为1200cm2/V·s，计算该积累层的电阻，假设载流子浓度为5x10^16cm?3。
3.在一个n型半导体中，积累层的载流子浓度为1.5x10^19cm?3，厚度为15nm，计算其电阻。已知电子的迁移率为1350cm2/V·s。
4.某MOSFET的积累层电阻需要计算，已知其面积为1mm2，积累层厚度为20nm，载流子浓度为2x10^17cm?3，求其电阻值。
5.在一个二极管中，积累层的厚度为25nm，载流子浓度为8x10^18cm?3，假设其电子迁移率为1500cm2/V·s，计算其电阻。
6.某半导体器件的积累层厚度为30nm，载流子浓度为3x10^16cm?3，已知材料的电导率为0.005S/cm，求出积累层电阻。
7.在一个n型MOSFET中，积累层的厚度为50nm，载流子浓度为1x10^19cm?3，电子迁移率为1100cm2/V·s，计算电阻。
8.某p-n结二极管的积累层厚度为10μm，载流子浓度为4x10^17cm?3，求其电阻，已知电导率为0.001S/cm。
9.在一个半导体器件中，积累层的载流子浓度为6x10^18cm?3，厚度为12nm，计算其电阻，假设电子迁移率为1200cm2/V·s。
10.某MOSFET的积累层电阻为关键参数，已知其高度为25nm，面积为0.5mm2，载流子浓度为2.5x10^17cm?3，计算其电阻值。
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