第4章_场效应管放大电路.pptx

第4章场效应管放大电路;本章学习目的和要求

熟悉场效应晶体管(JFET和MOSFET)的基本

结构及工作原理；

2.掌握场效应管的伏安特性，熟悉其主要参数,并能依据特效参数正确选用场效应管；

掌握场效应管放大电路的小信号模型分析

法，会分析场效应管基本放大电路；

会分析比较场效应管放大电路与晶体管基本

放大电路的异同点，熟悉场效应管基本放大

电路的频率特性。;4.1场效应管;4.1场效应管;4.1.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;1.N沟道增强型MOS场效应管

(1)结构;(2)工作原理;2)vDS对iDS的影响;预夹断后，vDS?;(3)特性曲线;1）输出特性;1）输出特性;②可变电阻区;③饱和区

（恒流区又称放大区）;2）转移特性;(４)沟道长度调制效应;2.N沟道耗尽型MOS场效应管

(1)结构和工作原理;当vGS0时，沟道变宽，沟道电阻减小，iD增加。

当vGS0时，沟道变窄，iD减小。

当vGS为负电压并达到某值时，使感应的电子消失，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断。此时的栅源电压称为夹断电压VP。;(2)特性曲线;耗尽型MOSFET的电流方程：;3.P沟道MOS场效应管;P沟道增强型MOS管沟道产生的条件为vGS≤VT

可变电阻区与饱和区的界线为：vDS=vGS－VT

可变电阻区内：vGS≤VT，vDS≥vGS-VT，电流正向流入漏极时，

饱和区内：vGS≤VT，vDS≤vGS-VT，电流iD为

，KP是P沟道器件的电导参数，可表示为

其中：W、L、分别是沟道宽度、沟道长度、栅极氧化物单位面积上电容。是空穴反型层中空穴的迁移率。通常，空穴的迁移率比电子迁移率要小，约为μn/2。;4.1.2结型场效应管;2．工作原理;vDS对沟道的控制作用;3.特性曲线;(2)转移特性;4.1.3场效应管的主要参数;2．交流参数 ;2．交流参数 ;3．极限参数;4.1.4各种场效应管的特性比较;图4.1.14各种场效应管的特性曲线;4.1.5场效应管使用注意事项;4.2场效应管放大电路;4.2.1场效应管共源放大电路;静态工作点IDQ、VDSQ和VGSQ的计算：;(2)分压式偏置电路;图4.2.3分压式偏置电路的直流通路;例4.2.1电路如图4.2.4所示???已知场效应管的VP=－1V，IDSS=0.5mA，其余电路参数如图中标注，试确定Q点。;2.动态分析;(2)动态分析;2)输入电阻;例4.2.2绘出例4.2.1电路的小信号等效电路，求出该电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。;4.2.2场效应管共漏放大电路;;2.动态分析;(2)输入电阻;例4.2.3在图4.2.9所示的共漏极基本放大电路中，设VDD=24V，Rs=10kΩ，Rg1=3MΩ，Rg2=5MΩ，Rg3=100MΩ，负载电阻RL=10kΩ，并且已知场效应管在Q处的互导gm=1.8mS，试估算放大电路的电压增益、输入电阻和输出电阻;4.2.3场效应管共栅放大电路;(2)输入电阻;4.2.4场效应管与晶体管放大电路的比较;2.场效应管与晶体管基本放大电路的性能比较;组态对应关系：;;4.2.5场效应管放大电路的频率响应;2.场效应管共源放大电路的频率响应;因Co远小于Ci，故可以忽略Co的影响，得到如图4.2.19所示的共源极放大电路的高频简化电路。;场效应管共源极放大电路的幅频特性曲线和相频特性曲线如图4.2.20所示。;本章小结

1.场效应管是一种具有放大作用的电压控制器件，利用栅源电压去控制漏极电流。工作时只有多数载流子参与导电，属于单极型器件；场效应管与晶体三极管相比，具有输入电阻高、功耗低、体积小、噪声小、热稳定性能好、易于集成等优点，广泛应用于各种电子电路中。

2.场效应管主要分为JFET和MOSFET两大类，根据导电沟道载流子的不同，又可分为N沟道和F沟道两类。其中MOSFET又可分成耗尽型与增强型两种，耗尽型MOS管具有原始导电沟道，正常工作时栅源电压VGS可正偏、零偏或反偏。增强型MOS管只有外加的栅源电压VGS超过开启电压VT才能形成导电沟道，正常工作