T_SZSA 031.01-2024 ESDTVS 静电保护类器件测试规范.docx

ICS31.080.01L40

T/SZSA

团体标准

T/SZSA031.01-2024

代替T/SZSA031.01—2022

ESD/TVS静电保护类器件测试规范

ESD/TVSESDProtectionDeviceTestSpecification

2024-10-14发布2024-10-21实施

深圳市半导体产业发展促进会发布

目录

前言 I

引言 II

ESD/TVS静电保护类器件测试规范 1

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

3.1静电阻抗器Electro-StaticDischarge 1

3.2瞬态抑制二极管TransientVoltageSuppressor 1

3.3击穿电压BreakdownVoltage 2

3.4反向截止电压ReverseStand-OffVoltage 2

3.5反向脉冲峰值电流PeakPulseCurrent 2

3.6箝位电压ClampingVoltage 2

3.7反向脉冲峰值功率Reversepulsepeakpower 2

3.8结电容Junctioncapacitor 2

3.9反向漏电流CurrentIntensityReverse 2

3.10I-V特性曲线 2

3.11C-V特性曲线 2

3.12传输线脉冲TransmissionLinePulse 3

4分类型号 3

4.1分类 3

4.2型号 3

5测试方法 4

5.1总则 4

5.2测试目的 4

5.3测试条件 4

5.4测试设备和装置 5

5.5测试关键指标 5

5.6测试内容 5

5.7关键参数示例 6

附录A 7

ESD/TVS静电保护类器件测试方法 7

A.1测试条件 7

A.2测试设备 7

A.3测试步骤 7

A.4测试结果分析 7

A.5测试数据记录 11

参考文献 14

I

前言

本标准按照GB/T1.1—2020给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。

本标准由深圳市半导体产业发展促进会提出并归口。

本标准起草单位：深圳市晶扬电子有限公司、深圳市半导体产业发展促进会、深圳市半导体行业协会、深圳市金誉半导体股份有限公司、深圳市三联盛科技股份有限公司、深圳市三一联光智能设备股份有限公司、深圳市长运通半导体技术有限公司、深圳市旭智鹏技术开发有限公司。

本标准主要起草人：高东兴、杜飞波、刘伟明、隆省满、叶小波、鲍恩忠、常军锋、蔡纯、戴荣、谭生发、朱文锋、廖昌武、冯白华、杨坤宏、古道雄、赖清海、王旭昌、王丹芬。

本标准于2022年首次发布，本次为第一次修订。

II

引言

静电是日常生活中常见的一种自然现象，静电放电会造成电子产品和电子设备的功能紊乱甚至部件损坏，进而给我们的日常生活带来不必要的麻烦和经济上的损失。随着科学技术的发展，电力、电子产品日益多样化、复杂化，静电放电对于电子产品电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题越来越引起人们的重视，电路保护越来越受到关注。

随着现代半导体器件的规格要求提升，半导体器件对外界电磁骚扰敏感程度需求也大大提高，特别是消费电子产品向着轻薄化发展，导致内部IC的外形尺寸不断减小，其自身静电防护能力亦不断减弱，因此设计师在设计时通常会加入静电保护器件，继而就产生了对静电保护类器件的大量需求[1]。

在制定本标准前，对市场上常见的静电防护类器件品牌和型号进行了广泛的调研，针对ESD/TVS静电保护类器件，应用场景繁多，不同应用场景产品的技术参数要求差异很大，产品型号类型非常多。虽然国家发布了半导体分立器件型号命名方法规则[2]，但当前各厂商并没有严格遵照该方法命名，在国家规范的基础上，此标准建立了一套产品型号命名规则，能让客户轻松地分辨自己想要购买的产品型号和规格。

此外，静电保护类器件从设计到最终量产，一般需要经过芯片设计、晶圆制造、晶圆测试、封装、成品测试、板级封装等这些环节，在整个价值