半导体器件物理知到课后答案智慧树章节测试答案2025年春中山大学.docx

半导体器件物理知到课后答案智慧树章节测试答案2025年春中山大学

第一章单元测试

对于离子注入或在轻掺杂的原始晶片上进行浅结扩散的情况，突变结是一个可接受的近似。（）

A:错B:对

答案:对

理想PN结的内建电势小于禁带宽度的电压值。（）

A:对B:错

答案:对

线性缓变结的耗尽层宽度正比于（）

A:其中，为轻掺杂一侧的杂质浓度B:C:D:

答案:

下面哪个图代表线性缓变PN结热平衡的电场分布：（）

A:B:C:D:

答案:

PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压的增加而升高。（）

A:错B:对

答案:错

在反向偏置下，靠近PN结耗尽区边界的准中性区内载流子会发生