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硅电容损耗计算.docx

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硅电容损耗计算

1.一种硅电容的额定电压为250V,工作频率为50Hz,电容值为10μF。计算该电容在此频率下的等效串联电阻(ESR),如果其损耗角正切(tanδ)为0.02。

2.在一个电路中使用了一个硅电容,其电容值为22μF,工作频率为60Hz,损耗角正切(tanδ)为0.01。请计算该电容在此频率下的功耗。

3.一台设备中使用的硅电容,其电压为400V,频率为100Hz,电容值为4.7μF,假设损耗角正切(tanδ)为0.005。计算该电容的损耗功率。

4.某硅电容器的工作频率为1kHz,电容值为10μF,损耗角正切(tanδ)为0.03。请计算电容在工作时所产生的损耗功率,如果电压为300V。

5.一种硅电容的额定电压为150V,工作频率为200Hz,电容值为33μF,损耗角正切(tanδ)为0.015。计算该电容的功耗。

6.在一个电路中,使用了一种电容为6.8μF,频率为50Hz,电压为250V,损耗角正切(tanδ)为0.004。请计算该电容的等效串联电阻(ESR)并求出功耗。

7.一种硅电容的工作频率为1MHz,电容值为1μF,损耗角正切(tanδ)为0.02。计算该电容在此频率下的功耗,若电压为50V。

8.某硅电容器的电压为500V,电容值为10μF,工作频率为60Hz,损耗角正切(tanδ)为0.01。请计算该电容的损耗功率。

9.在一个电路中,使用的硅电容为4.7μF,频率为100Hz,损耗角正切(tanδ)为0.005,电压为400V。计算该电容在此工作条件下的功耗。

10.一种电容值为15μF,工作频率为50Hz,损耗角正切(tanδ)为0.02,电压为250V的硅电容器。请计算其在工作时的损耗功率。

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