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微电子学原理

课程介绍与学习目标本课程将涵盖微电子学的基础理论，并以案例分析为主，使学生能掌握微电子学的基本原理、核心技术，并具备一定的实际应用能力。学习目标：理解半导体器件的物理原理掌握集成电路的基本制造工艺

微电子学的定义与发展历程11947晶体管的发明标志着微电子学的诞生21958集成电路的出现开启了微电子学的新纪元31971首个微处理器问世，开启了计算机革命420世纪80年代超大规模集成电路(VLSI)技术蓬勃发展521世纪

半导体基础知识导体电子可以在其中自由移动，例如铜、银、金等绝缘体电子不能自由移动，例如橡胶、玻璃、陶瓷等半导体

半导体材料的晶体结构1原子23

本征半导体与外征半导体本征半导体纯净的半导体，例如纯硅或纯锗外征半导体掺入杂质元素的半导体，例如N型半导体和P型半导体

掺杂原理与载流子浓度掺杂在半导体材料中添加少量的杂质元素N型半导体掺入五价元素，例如磷、砷P型半导体掺入三价元素，例如硼、铝

PN结的形成与基本特性PN结形成将N型半导体和P型半导体连接在一起形成PN结1耗尽层PN结形成后，载流子会扩散，在结区形成耗尽层2势垒耗尽层中存在势垒，阻止载流子的进一步扩散3

半导体二极管工作原理正向偏置当PN结的正极连接电源正极，负极连接电源负极时，PN结的势垒降低，电流可以流过反向偏置当PN结的正极连接电源负极，负极连接电源正极时，PN结的势垒升高，电流几乎无法流过

二极管伏安特性曲线正向偏置电流随电压指数增加反向偏置电流很小，几乎为零

二极管的应用电路整流电路将交流电转换为直流电限幅电路限制信号电压的范围钳位电路将信号电压的水平移动到指定的参考电压

双极结型晶体管(BJT)基本结构发射区注入载流子的区域1基区控制载流子流动的区域2集电区收集载流子的区域3

BJT的工作模式1放大模式输入信号控制集电区电流，实现信号放大2饱和模式基极电流足够大，集电区电流达到最大值3截止模式基极电流为零，集电区电流也为零

BJT的放大原理基极电流控制着集电区电流，而集电区电流的大小远远大于基极电流通过调节基极电流，可以控制集电区电流，实现信号放大

共发射、共基和共集极放大电路共发射极电压放大率最大，输入阻抗中等，输出阻抗高共基极电压放大率小于1，输入阻抗低，输出阻抗低共集极电压放大率接近1，输入阻抗高，输出阻抗低

场效应晶体管(FET)概述结型场效应晶体管(JFET)利用PN结的势垒控制载流子流动的FET金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)利用金属氧化物层控制载流子流动的FET

结型场效应晶体管(JFET)1栅极控制载流子流动的区域2源极载流子流入的区域3漏极载流子流出的区域

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)1栅极控制载流子流动的区域2源极和漏极载流子流入和流出的区域3衬底为器件提供支撑的基底材料

MOSFET的工作原理增强型MOSFET当栅极电压大于阈值电压时，导电通道形成，电流可以流过耗尽型MOSFET当栅极电压低于阈值电压时，导电通道形成，电流可以流过

MOS管的静态特性转移特性曲线描述了漏极电流与栅极电压的关系输出特性曲线描述了漏极电流与漏极电压的关系

集成电路基本概念集成电路将多个电子元器件集成在一个半导体芯片上的电路集成度一个芯片上集成的元器件数量摩尔定律集成电路的集成度每18个月翻一番

集成电路的分类1数字集成电路主要用于处理数字信号，例如计算机、手机等2模拟集成电路主要用于处理模拟信号，例如音频放大器、电源等3混合集成电路将数字和模拟电路集成在一个芯片上

集成电路制造工艺流程1晶片制造将硅晶体切割成薄片2光刻利用光刻技术将电路图案转移到晶片上3扩散与离子注入将杂质元素掺入晶片中4薄膜生长与沉积在晶片上生长或沉积各种薄膜5金属化在晶片上形成金属层连接电路6封装将芯片封装起来，便于使用

光刻技术光刻技术利用光束将电路图案转移到晶片上随着集成度的提高，光刻技术不断发展，从紫外光刻到极紫外光刻

扩散与离子注入技术扩散利用杂质元素在半导体材料中的扩散来形成PN结离子注入利用高能离子束将杂质元素注入到半导体材料中

薄膜生长与沉积化学气相沉积(CVD)利用化学反应在晶片上沉积薄膜物理气相沉积(PVD)利用物理方法在晶片上沉积薄膜原子层沉积(ALD)利用一层一层的原子沉积方式生长薄膜

集成电路封装技术引线框架封装将芯片固定在引线框架上，通过引线连接外部电路表面贴装封装(SMD)将芯片直接贴装在印刷电路板上球栅阵列(BGA)芯片底部布满焊球，用于连接外部电路

互补金属氧化物半导体(CMOS)技术低功耗CMOS电路在静止状态下几乎不消耗功耗1高集成度CMOS技术可以实现高集成度的集成电路2高可靠性CMOS电路具有较高的可靠性和稳定性3

逻辑门电路设计与门当所有输入信号都为高电平时，输出信号为高电平或门当至少一个