《晶体二极管与晶体三极管》课件.pptVIP

《晶体二极管与晶体三极管》

电子元器件发展简史回顾电子元器件的发展历史，是人类科技进步的缩影。从真空电子管的诞生，到晶体二极管和三极管的出现，再到集成电路的普及，每一次技术革新都推动了电子设备的飞速发展。回顾这段历史，有助于我们更好地理解现代电子技术的基石，并展望未来的发展方向。早期，电子管体积庞大、功耗高，限制了电子设备的小型化和普及。晶体二极管与三极管的出现，以其体积小、功耗低、寿命长等优点，迅速取代了电子管，开启了微电子时代。随着集成电路的出现，数百万甚至数十亿个晶体管被集成在一块芯片上，极大地提高了电子设备的性能和功能。11904年真空电子管诞生21947年晶体管问世31958年

什么是半导体材料半导体材料是一种特殊的材料，其导电性能介于导体和绝缘体之间。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。半导体材料的特殊之处在于，其导电性能可以通过外部条件（如温度、光照、电压）来控制，这使得半导体材料成为制造各种电子器件的关键材料。半导体材料的导电性能与温度密切相关。在低温下，半导体材料的导电性能较差，类似于绝缘体；而在高温下，半导体材料的导电性能会显著提高，类似于导体。此外，半导体材料还可以通过掺杂技术来改变其导电性能，从而满足不同电子器件的需求。1导电性可控通过外部条件改变导电性2温度敏感导电性随温度变化掺杂改性

半导体的基本物理特性半导体的基本物理特性是理解半导体器件工作原理的基础。这些特性包括能带结构、载流子浓度、迁移率、扩散系数等。能带结构决定了半导体材料的导电性能，载流子浓度决定了半导体材料的导电能力，迁移率和扩散系数则描述了载流子在半导体材料中的运动特性。能带结构是描述电子在半导体材料中能量分布的重要概念。半导体材料的能带结构包括价带和导带，价带中的电子不易导电，而导带中的电子可以自由移动，从而形成电流。载流子浓度是指单位体积内自由电子和空穴的数量，载流子浓度越高，半导体材料的导电能力越强。能带结构电子能量分布载流子浓度导电粒子数量迁移率载流子运动速度

半导体掺杂技术简介半导体掺杂技术是指在纯净的半导体材料中掺入微量的杂质元素，以改变其导电性能的技术。通过掺杂，可以控制半导体材料中自由电子和空穴的数量，从而制造出具有特定导电性能的半导体材料。掺杂技术是制造各种半导体器件的关键工艺之一。常用的掺杂元素包括磷、砷、硼等。掺入磷或砷等元素可以增加半导体材料中自由电子的数量，形成N型半导体；掺入硼等元素可以增加半导体材料中空穴的数量，形成P型半导体。通过控制掺杂元素的种类和浓度，可以精确地控制半导体材料的导电性能。掺杂1扩散2激活3

P型和N型半导体的形成P型半导体是指通过掺杂形成空穴为主要载流子的半导体材料。N型半导体是指通过掺杂形成自由电子为主要载流子的半导体材料。P型和N型半导体是构成各种半导体器件的基本单元。通过将P型和N型半导体结合在一起，可以形成PN结，从而实现各种复杂的电子功能。P型半导体中的空穴可以自由移动，并在外加电场的作用下形成电流。N型半导体中的自由电子也可以自由移动，并在外加电场的作用下形成电流。P型和N型半导体的导电特性不同，它们的结合可以实现单向导电、放大、开关等功能。P型半导体空穴为主要载流子N型半导体自由电子为主要载流子

二极管的基本工作原理二极管是一种具有单向导电性的半导体器件。它由一个PN结构成，当正向偏置时，二极管导通，允许电流通过；当反向偏置时，二极管截止，阻止电流通过。二极管的这种单向导电特性使其在电路中具有整流、开关、稳压等多种功能。当二极管正向偏置时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子会向PN结移动，并在PN结附近复合，从而形成正向电流。当二极管反向偏置时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子会远离PN结移动，从而形成耗尽层，阻止电流通过。正向偏置导通，允许电流通过反向偏置截止，阻止电流通过

二极管的内部结构二极管的内部结构主要由PN结、引线和封装组成。PN结是二极管的核心部分，决定了二极管的导电特性。引线用于将PN结连接到外部电路。封装用于保护PN结，并提供机械支撑。PN结由P型半导体和N型半导体组成，它们之间形成一个耗尽层。耗尽层是PN结中没有自由载流子的区域，其宽度与外加电压有关。引线通常由金属材料制成，具有良好的导电性能。封装材料通常是塑料或陶瓷，具有良好的绝缘性能和机械强度。PN结决定导电特性引线连接外部电路封装保护PN结

PN结的形成机制PN结的形成是由于P型半导体和N型半导体接触后，两种半导体中的载流子（空穴和自由电子）会发生扩散运动。P型半导体中的空穴会向N型半导体扩散，N型半导体中的自由电子会向P型半导体扩散。这种扩散运动会导致PN结附近形成一个耗尽层。在耗尽层中，由于空穴和自由电子的复合，导致载流子浓度降低，从而形成一个电场。这个电场会阻止载流子