2025年(完整)半导体器件物理 试题库 .pdfVIP

非淡泊无以明志，非宁静无以致远。——诸葛亮

西安邮电大学微电子学系商世广

半导体器件试题库

常用单位：

103

在室温（T=300K）时，硅本征载流子的浓度为n=1.5×10/cm

i

-1922

电荷的电量q=1.6×10Cµ=1350cm/Vsµ=500cm/Vs

np

ε-12

=8.854×10F/m

0

一、半导体物理基础部分

（一）名词解释题

杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消

的作用，通常称为杂质的补偿作用。

非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，

额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。

迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。

晶向：

晶面：

（二）填空题

1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和

三种。

2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。

3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。

4．线缺陷，也称位错，包括、两种。

5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带

向弯曲。

6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂

质称为杂质。

7．对于N型半导体，根据导带低E和E的相对位置，半导体可分为、弱简

CF

并和三种。

8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。

以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子》

西安邮电大学微电子学系商世广

9．在Si-SiO系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷4种基

2

本形式的电荷或能态。

10．对于N型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于